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ZHCSY44A March 2025 – June 2025 DLP991UUV

PRODUCTION DATA

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)

FLV|321
- MCLG052

散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)

订购信息

zhcsy44a_oa

5.4 建议运行条件

在自然通风条件下的工作温度范围和电源电压（除非另有说明）⁽¹⁾

参数名称		最小值	典型值	最大值	单位
电源电压
V_DD	LVCMOS 内核逻辑和低速接口 (LSIF) 的电源电压 ⁽²⁾	1.85	1.9	1.95	V
V_DDA	高速串行接口 (HSSI) 接收器的电源电压⁽²⁾	1.85	1.9	1.95	V
V_OFFSET	HVCMOS 和微镜电极的电源电压⁽²⁾⁽³⁾⁽⁴⁾	9.5	10	10.5	V
V_BIAS	微镜电极的电源电压⁽²⁾	17.5	18	18.5	V
V_RESET	微镜电极的电源电压⁽²⁾	-14.5	-14	-13.5	V
\| V_DDA – V_DD \|	电源电压差值（绝对值）⁽⁵⁾			0.3	V
\| V_BIAS – V_OFFSET \|	电源电压差值（绝对值）⁽⁶⁾			10.5	V
\| V_BIAS – V_RESET \|	电源电压差值（绝对值）			33	V
LVCMOS 输入
V_IH	高电平输入电压⁽²⁾⁽⁷⁾	0.7 × V_DD			V
V_IL	低电平输入电压⁽²⁾⁽⁷⁾			0.3 × V_DD	V
低速接口 (LSIF)
f_CLOCK	LSIF 时钟频率 (LS_CLK)⁽⁹⁾	108	120	130	MHz
DCD_IN	LSIF 占空比失真 (LS_CLK)	44%		56%
\| V_ID \|	LSIF 差分输入电压幅度⁽⁹⁾	150	350	440	mV
V_LVDS	LSIF 电压⁽⁹⁾	575		1520	mV
V_CM	共模电压⁽⁹⁾	700	900	1300	mV
Z_LINE	线路差分阻抗（PWB/引线）	90	100	110	Ω
Z_IN	内部差分端接电阻	80	100	120	Ω
高速串行接口 (HSSI)
f_CLOCK	HSSI 时钟频率 (DCLK)⁽⁸⁾	1.8	1.8	1.8	GHz
DCD_IN	HSSI 占空比失真 (DCLK)	44%	50%	56%
\| V_ID \| Data	HSSI 差分输入电压幅度数据通道⁽⁸⁾	100	400	600	mV
\| V_ID \| CLK	HSSI 差分输入电压幅度时钟通道⁽⁸⁾	300	400	600	mV
VCM_DC Data	输入共模电压（直流）数据通道⁽⁸⁾	200	600	800	mV
VCM_DC CLK	输入共模电压（直流）时钟通道⁽⁸⁾	200	600	800	mV
VCM_ACp-p	数据通道和时钟通道共模电压上的交流峰峰值（纹波）⁽⁸⁾			100	mV
Z_LINE	线路差分阻抗（PWB/引线）		100		Ω
Z_IN	内部差分端接电阻 (R_Xterm)	80	100	120	Ω
环境
T_ARRAY	长期工作时的阵列温度⁽¹⁰⁾⁽¹¹⁾⁽¹²⁾⁽¹⁴⁾	20		30	°C
T_WINDOW	工作时的窗口温度，TP2 和 TP3	10		30	°C
T_{DELTA_MAX}	[TP2 或 TP3 的最大值] 减去 T_{MIN_ARRAY}⁽¹⁴⁾			5	°C
T_{DELTA_MIN}	[TP2 或 TP3 的最小值] 减去 T_{MAX_ARRAY}⁽¹⁴⁾	-10			°C
RH	相对湿度（非冷凝）			95%
占空比	工作着陆占空比⁽¹⁷⁾		50%
ILL_UV7	波长 < 341nm 时的照明功率⁽¹³⁾⁽¹⁵⁾⁽¹⁶⁾⁽¹⁹⁾			10	mW/cm²
ILL_UV6	波长 ≥ 343nm 且 < 345nm 时的照明功率⁽¹³⁾⁽¹⁵⁾⁽¹⁶⁾⁽¹⁹⁾			2.7	W/cm²
ILL_UV5	波长 ≥ 345nm 且 < 355nm 时的照明功率⁽¹³⁾⁽¹⁵⁾⁽¹⁹⁾			2.9	W/cm²
ILL_UV4	波长 ≥ 355nm 且 < 365nm 时的照明功率⁽¹³⁾⁽¹⁵⁾⁽¹⁹⁾			4.1	W/cm²
ILL_UV3	波长 ≥ 365nm 且 < 385nm 时的照明功率⁽¹³⁾⁽¹⁵⁾			5.9	W/cm²
ILL_UV2	波长 ≥ 385nm 且 < 400nm 时的照明功率⁽¹³⁾⁽¹⁵⁾			11.8	W/cm²
ILL_UV1	波长 ≥ 400nm 且 < 410nm 时的照明功率⁽¹³⁾⁽¹⁵⁾			22.5	W/cm²
ILL_UV	波长 ≥ 365nm 且 < 410nm 时的照明功率⁽¹³⁾⁽¹⁵⁾⁽¹⁸⁾			22.5	W/cm²
ILL_VIS	波长 ≥ 410nm 且 < 800nm 时的照明功率⁽¹³⁾⁽¹⁵⁾			60	W/cm²

(1) 建议的工作条件在最终产品中安装 DMD 之后适用

(2) 运行 DMD 需要连接以下所有电源：V_DD、V_DDA、V_OFFSET、V_BIAS 和 V_RESET。运行 DMD 需要所有 V_SS 连接。

(3) 所有电压值均以 V_SS 接地引脚为基准。

(4) V_OFFSET 电源电压瞬态必须处于指定的最大电压范围内。

(5) 为了防止电流过大，电源电压差值 | V_DDA – V_DD | 必须小于指定的限值。

(6) 为了防止电流过大，电源电压差值 | V_BIAS – V_OFFSET | 必须小于指定的限值。

(7) LVCMOS 输入引脚为 DMD_DEN_ARSTZ。

(8) 请参阅时序要求中的高速串行接口 (HSSI) 时序要求。

(9) 请参阅时序要求中的低速接口 (LSIF) 时序要求。

(10) 如果该 DMD 同时暴露于最大温度和 UV 照明（请参阅建议运行条件），则会缩短器件寿命。

(11) 阵列温度无法直接测量，必须按照“DMD 温度计算方法”所示根据“DMD 热测试点”中所示测试点 (TP1) 处测量的温度以及封装热电阻进行分析计算。

(12) 长期定义为器件的使用寿命。

(13) DMD 上可能入射的最大光功率受到每个指定波长范围的最大光功率密度以及微镜阵列温度 T_ARRAY 的限制。

(14) 如需查看计算示例，请参阅“DMD 温度计算”。

(15) 如需查看计算示例，请参阅“微镜功率密度计算”。

(16) 对于任何 343nm 或更大波长的光源，必须使用截止滤波器，以使在 341nm 处的功率水平达到或低于该值。从 343nm 到 341nm 的照明功率预计将逐渐降低，因此可实现 341nm 处的最大功率限制。

(17) 着陆占空比是指单个微镜着陆于一种状态（12.0° 或 –12.0°）与着陆于相反状态（–12.0° 或 12.0°）的时间百分比。50% 相当于 50/50 占空比，其中微镜着陆于打开状态的时间比例为 50%，着陆于关闭状态的时间比例为 50%。有关陆占空比的更多信息，请参阅微镜着陆开/着陆关占空比的定义。

(18) 从365nm 到 410nm 的总集成照明功率密度不应超过 22.5W/cm²。因此，如果在 365nm 至 385nm 范围内使用5.9W/cm² 的照明，并在 385nm 至 400nm 范围内使用 11.8W/cm² 的照明，则 400nm 至 410nm 范围内的照明必须限制为 4.8W/cm²。

(19) 低于 365nm 的多个波长带的照明不能与其他波长带同时使用。例如，如果使用 344nm 照明（≥343nm 且 < 345nm），则可能不能同时使用该频带之外的另一个波长。