ZHCSEU6A March   2016  – September 2017 CSD87355Q5D

PRODUCTION DATA.  

  1. 1特性
  2. 2应用范围
  3. 3说明
  4. 4修订历史记录
  5. 5Specifications
    1. 5.1 Absolute Maximum Ratings
    2. 5.2 Handling Ratings
    3. 5.3 Recommended Operating Conditions
    4. 5.4 Thermal Information
    5. 5.5 Power Block Performance
    6. 5.6 Electrical Characteristics
    7. 5.7 Typical Power Block Device Characteristics
    8. 5.8 Typical Power Block MOSFET Characteristics
  6. 6Application and Implementation
    1. 6.1 Application Information
      1. 6.1.1 Equivalent System Performance
      2. 6.1.2 Power Loss Curves
      3. 6.1.3 Safe Operating Curves (SOA)
      4. 6.1.4 Normalized Curves
    2. 6.2 Typical Application
      1. 6.2.1 Design Example: Calculating Power Loss and SOA
      2. 6.2.2 Operating Conditions
        1. 6.2.2.1 Calculating Power Loss
        2. 6.2.2.2 Calculating SOA Adjustments
  7. 7Layout
    1. 7.1 Layout Guidelines
      1. 7.1.1 Electrical Performance
      2. 7.1.2 Thermal Considerations
    2. 7.2 Layout Example
  8. 8器件和文档支持
    1. 8.1 社区资源
    2. 8.2 商标
    3. 8.3 静电放电警告
    4. 8.4 Glossary
  9. 9机械、封装和可订购信息
    1. 9.1 Q5D 封装尺寸
    2. 9.2 焊盘布局建议
    3. 9.3 模板建议

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • DQY|8
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

器件和文档支持

社区资源

下列链接提供到 TI 社区资源的连接。链接的内容由各个分销商“按照原样”提供。这些内容并不构成 TI 技术规范,并且不一定反映 TI 的观点;请参阅 TI 的 《使用条款》

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商标

NexFET, E2E are trademarks of Texas Instruments.

All other trademarks are the property of their respective owners.

静电放电警告

esds-image

这些装置包含有限的内置 ESD 保护。 存储或装卸时,应将导线一起截短或将装置放置于导电泡棉中,以防止 MOS 门极遭受静电损伤。

Glossary

SLYZ022TI Glossary.

This glossary lists and explains terms, acronyms, and definitions.