ZHCSF23B May   2016  – October 2025 CSD19538Q3A

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1特性
  3. 2应用
  4. 3说明
  5. 4规格
    1. 4.1 电气特性
    2. 4.2 热性能信息
    3. 4.3 典型 MOSFET 特性
  6. 5器件和文档支持
    1. 5.1 第三方产品免责声明
    2. 5.2 接收文档更新通知
    3. 5.3 支持资源
    4. 5.4 商标
    5. 5.5 静电放电警告
    6. 5.6 术语表
  7. 6修订历史记录
  8.   机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

3 说明

这款 100V、49mΩ、SON 3.3mm × 3.3mm NexFET™ 功率 MOSFET 旨在最小化导通损耗并减少 PoE 应用中的板面占用空间。

CSD19538Q3A 顶视图顶视图
产品概要
TA = 25°C 典型值 单位
VDS 漏源电压 100 V
Qg 栅极电荷总量 (10V) 4.3 nC
Qgd 栅漏栅极电荷 0.8 nC
RDS(on) 漏源导通电阻 VGS = 6V 58 mΩ
VGS = 10V 49
VGS(th) 阈值电压 3.2 V
封装信息
器件型号 介质 数量 封装(1) 运输
CSD19538Q3A 13 英寸卷带 3000 SON
3.30mm × 3.30mm(2)
塑料封装		 卷带
CSD19538Q3AT 7 英寸卷带 250
(1) 如需了解所有可用封装，请参阅数据表末尾的可订购产品附录。
(2) 封装尺寸（长 × 宽）为标称值，并包括引脚（如适用）。
绝对最大额定值
TA = 25°C 值 单位
VDS 漏源电压 100 V
VGS 栅源电压 ±20
ID 持续漏极电流（受封装限制） 15 A
持续漏极电流（受芯片限制），TC = 25°C 时测得 14
持续漏极电流(1) 4.9
IDM 脉冲漏极电流(2) 37
PD 功率耗散(1) 2.8 W
功率耗散，TC = 25°C 23
TJ 工作结温 -55 至 150 °C
Tstg 贮存温度
EAS 雪崩能量，单脉冲
ID = 12.7A，L = 0.1mH，RG = 25Ω		 8.1 mJ
(1) 0.06 英寸厚 FR4 PCB 上 1 平方英寸、2oz 铜焊盘上的 RθJA = 45°C/W（典型值）。
(2) 最大 RθJC = 5.5°C/W，脉冲持续时间 ≤ 100μs，占空比 ≤ 1%。
CSD19538Q3A RDS(on) 与 VGS 之间的关系RDS(on) 与 VGS 之间的关系
CSD19538Q3A 栅极电荷栅极电荷