ZHCSDH9C March   2015  – May 2025 CSD19536KTT

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1特性
  3. 2应用
  4. 3说明
  5. 4规格
    1. 4.1 电气特性
    2. 4.2 热性能信息
    3. 4.3 典型 MOSFET 特性
  6. 5器件和文档支持
    1. 5.1 接收文档更新通知
    2. 5.2 社区资源
    3. 5.3 商标
  7. 6修订历史记录
  8. 7机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

3 说明

这款 100V、2mΩ、D2PAK (TO-263) NexFET™ 功率 MOSFET 旨在用于更大限度地降低功率转换应用中的损耗。

CSD19536KTT 引脚排列引脚排列
产品概要
TA = 25°C 典型值 单位
VDS 漏源电压 100 V
Qg 栅极电荷总量 (10V) 118 nC
Qgd 栅极电荷（栅极到漏极） 17 nC
RDS(on) 漏源导通电阻 VGS = 6V 2.2 mΩ
VGS = 10V 2
VGS(th) 阈值电压 2.5 V
器件信息
器件(1)数量介质封装运输
CSD19536KTT50013 英寸卷带D2PAK 塑料封装卷带包装
CSD19536KTTT50
(1) 如需了解所有可用封装，请参阅数据表末尾的可订购产品附录。
绝对最大额定值
TA = 25°C值单位
VDS漏源电压100V
VGS栅源电压±20V
ID持续漏极电流
（受封装限制）		200A
持续漏极电流（受器件限制），TC = 25°C 时测得272
持续漏极电流（受器件限制），TC = 100°C 时测得192
IDM脉冲漏极电流(1)400A
PD功率耗散375W
TJ，
Tstg		工作结温，
贮存温度		-55 至 175°C
EAS雪崩能量，单脉冲
ID = 127A，L = 0.1mH，RG = 25Ω		806mJ
(1) 最大 RθJC = 0.4°C/W，脉冲持续时间 ≤ 100μs，占空比 ≤ 1%。
CSD19536KTT RDS(on) 与 VGS 之间的关系RDS(on) 与 VGS 之间的关系
CSD19536KTT 栅极电荷栅极电荷