ZHCSDH9C March   2015  – May 2025 CSD19536KTT

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1特性
  3. 2应用
  4. 3说明
  5. 4规格
    1. 4.1 电气特性
    2. 4.2 热性能信息
    3. 4.3 典型 MOSFET 特性
  6. 5器件和文档支持
    1. 5.1 接收文档更新通知
    2. 5.2 社区资源
    3. 5.3 商标
  7. 6修订历史记录
  8. 7机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

4.3 典型 MOSFET 特性

TA = 25°C（除非另外注明）

CSD19536KTT 瞬态热阻抗
图 4-1 瞬态热阻抗
CSD19536KTT 饱和特性
图 4-2 饱和特性
CSD19536KTT 传输特性
VDS = 5V
图 4-3 传输特性
CSD19536KTT 栅极电荷
VDS = 50VID = 100A
图 4-4 栅极电荷
CSD19536KTT 阈值电压与温度间的关系
ID = 250µA
图 4-6 阈值电压与温度间的关系
CSD19536KTT 标准化通态电阻与温度的关系
ID = 100A
图 4-8 标准化通态电阻与温度的关系
CSD19536KTT 最大安全工作区
单脉冲，最大 RθJC = 0.4°C/W
图 4-10 最大安全工作区
CSD19536KTT 最大漏极电流与温度间的关系
图 4-12 最大漏极电流与温度间的关系
CSD19536KTT 电容
图 4-5 电容
CSD19536KTT 导通电阻与栅源电压
图 4-7 导通电阻与栅源电压
CSD19536KTT 典型二极管正向电压
图 4-9 典型二极管正向电压
CSD19536KTT 单脉冲非钳位电感式开关
图 4-11 单脉冲非钳位电感式开关