ZHCSF08B May   2016  – February 2022 CSD18541F5

PRODUCTION DATA  

  1. 1特性
  2. 2应用
  3. 3说明
  4. 4Revision History
  5. 5Specifications
    1. 5.1 Electrical Characteristics
    2. 5.2 Thermal Information
    3. 5.3 Typical MOSFET Characteristics
  6. 6Device and Documentation Support
    1. 6.1 Receiving Notification of Documentation Updates
    2. 6.2 Community Resources
    3. 6.3 Trademarks
  7. 7Mechanical, Packaging, and Orderable Information
    1. 7.1 Mechanical Dimensions
    2. 7.2 Recommended Minimum PCB Layout
    3. 7.3 Recommended Stencil Pattern

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

3 说明

该 54mΩ、60V N 沟道 FemtoFET™ MOSFET 技术经过设计和优化，能够最大限度地减小在空间受限的工业负载开关应用中占用的空间。这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时大幅减小封装尺寸。

GUID-CDC7BD32-7B1C-4D6E-91D9-C7CF0C3D913F-low.gif典型器件尺寸
产品概要
TA = 25°C典型值单位
VDS漏源电压60V
Qg栅极电荷总量 (10V)11nC
Qgd栅极电荷（栅极到漏极）1.6nC
RDS(on)漏源导通电阻VGS = 4.5V57mΩ
VGS = 10V54
VGS(th)阈值电压1.75V
器件信息
器件数量介质封装配送
CSD18541F530007 英寸卷带Femto
1.53mm × 0.77mm
无引线 SMD		卷带
包装
CSD18541F5T250
  1. 如需了解所有可用封装，请参阅数据表末尾的可订购产品附录。
绝对最大额定值
TA = 25°C值单位
VDS漏源电压60V
VGS栅源电压±20V
ID持续漏极电流2.2A
IDM脉冲漏极电流 (1)(2)21A
PD功率耗散500mW
TJ、
Tstg		工作结温，
贮存温度		–55 至 150°C
EAS雪崩能量，单脉冲
ID = 12.8A，L = 0.1mH，RG = 25Ω		8.2mJ
GUID-98B74E99-82DA-4E8C-9FE2-CA38A84898DC-low.gif顶视图