ZHCSF08A May   2016  – August 2017 CSD18541F5

PRODUCTION DATA.  

  1. 1特性
  2. 2应用范围
  3. 3说明
  4. 4修订历史记录
  5. 5Specifications
    1. 5.1 Electrical Characteristics
    2. 5.2 Thermal Information
    3. 5.3 Typical MOSFET Characteristics
  6. 6器件和文档支持
    1. 6.1 接收文档更新通知
    2. 6.2 社区资源
    3. 6.3 商标
    4. 6.4 静电放电警告
    5. 6.5 Glossary
  7. 7机械、封装和可订购信息
    1. 7.1 机械尺寸
    2. 7.2 推荐的最小 PCB 布局
    3. 7.3 推荐的模板布局

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
  • YJK|3
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

特性

  • 低导通电阻
  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 超小尺寸
    • 1.53mm x 0.77mm
  • 薄型
    • 高度为 0.35mm
  • 集成型静电放电 (ESD) 保护二极管
    • 无铅且无卤素
    • 符合 RoHS 环保标准

    应用范围

    • 针对负载开关应用进行了 优化
    • 针对通用开关应用进行了 优化

    说明

    这款 54mΩ、60V N 通道 FemtoFET™MOSFET 技术经过了设计和优化,能够最大限度减小许多空间受限类工业负载开关应用的 封装尺寸。这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时大幅减小封装尺寸。

    产品概要

    TA = 25°C 典型值 单位
    VDS 漏源电压 60 V
    Qg 栅极电荷总量 (10V) 11 nC
    Qgd 栅极电荷(栅极到漏极) 1.6 nC
    RDS(on) 漏源导通电阻 VGS = 4.5V 57
    VGS = 10V 54
    VGS(th) 阈值电压 1.75 V

    器件信息(1)

    器件 数量 包装介质 封装 运输
    CSD18541F5 3000 7 英寸卷带 Femto
    1.53mm × 0.77mm
    SMD 无引线
    卷带

    CSD18541F5T 250
    1. 如需了解所有可用封装,请参阅产品说明书末尾的可订购产品附录。

    绝对最大额定值

    TA = 25°C 单位
    VDS 漏源电压 60 V
    VGS 栅源电压 ±20 V
    ID 持续漏极电流(1) 2.2 A
    IDM 脉冲漏极电流(1)(2) 21 A
    PD 功率耗散 500 mW
    TJ
    Tstg
    工作结温,
    储存温度
    -55 至 150 °C
    EAS 雪崩能量,单一脉冲
    ID = 12.8A,L = 0.1mH,RG = 25Ω
    8.2 mJ
    1. RθJA = 245°C/W(典型值)
    2. 脉冲持续时间 ≤ 100μs,占空比 ≤ 1%。

    典型部件尺寸

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    顶视图

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