ZHCSB81C June 2013 – February 2018 CSD18532NQ5B
PRODUCTION DATA.
3 说明
这款采用 5mm × 6mm SON 封装的 60V、2.7mΩ NexFET™功率 MOSFET 旨在最大限度降低功率转换 应用。
俯视图
产品概要
| TA = 25°C | 典型值 | 单位 | ||
|---|---|---|---|---|
| VDS | 漏源电压 | 60 | V | |
| Qg | 栅极电荷总量 (10V) | 49 | nC | |
| Qgd | 栅极电荷（栅极到漏极） | 7.9 | nC | |
| RDS(on) | 漏源导通电阻 | VGS = 6V | 3.5 | mΩ |
| VGS = 10V | 2.7 | |||
| VGS(th) | 阈值电压 | 2.8 | V | |
器件信息
| 器件 | 数量 | 包装介质 | 封装 | 发货 |
|---|---|---|---|---|
| CSD18532NQ5B | 2500 | 13 英寸卷带 | SON
5.00mm × 6.00mm 塑料封装 |
卷带封装 |
| CSD18532NQ5BT | 250 | 7 英寸卷带 |
最大绝对额定值
| TA = 25°C | 值 | 单位 | |
|---|---|---|---|
| VDS | 漏源电压 | 60 | V |
| VGS | 栅源电压 | ±20 | V |
| ID | 持续漏极电流（受封装限制） | 100 | A |
| 持续漏极电流（受芯片限制），TC = 25°C 时测得 | 151 | ||
| 持续漏极电流(1) | 21 | ||
| IDM | 脉冲漏极电流(2) | 400 | A |
| PD | 功率耗散(1) | 3.1 | W |
| 功率耗散，TC = 25°C | 156 | ||
| TJ，
Tstg |
工作结温，
储存温度 |
–55 至 150 | °C |
| EAS | 雪崩能量，单一脉冲
ID = 85A，L = 0.1mH，RG = 25Ω |
360 | mJ |
- RθJA = 40°C/W，这是在一块厚度为 0.06 英寸环氧树脂 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上的 1 英寸2，2 盎司铜焊盘上测得的典型值。
- 最大 RθJC = 0.8°C/W，脉冲持续时间 ≤ 100μs，占空比 ≤ 1%。