ZHCSA49C August   2012  – March 2024 CSD18532KCS

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1特性
  3. 2应用
  4.   说明
  5. 3Specifications
    1. 3.1 Electrical Characteristics
    2. 3.2 Thermal Information
    3. 3.3 Typical MOSFET Characteristics
  6. 4Device and Documentation Support
    1. 4.1 第三方产品免责声明
    2. 4.2 接收文档更新通知
    3. 4.3 支持资源
    4. 4.4 Trademarks
    5. 4.5 静电放电警告
    6. 4.6 术语表
  7. 5Revision History
  8. 6Mechanical Data

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • KCS|3
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

Revision History

Changes from Revision B (August 2012) to Revision C (March 2024)

  • 更新了整个文档中的表格、图和交叉参考的编号格式Go

Changes from Revision A (October 2012) to Revision B (July 2014)

  • 将 TC = 100°C 时的 ID 增加至 116AGo
  • 将 IDM 增加至 400AGo
  • 将 PD 增加至 250WGo
  • 将最大工作结温和贮存温度增加至 175°CGo
  • Updated Figure 3-1 from a normalized RθJA to an RθJC curveGo
  • Updated Figure 3-6 to extend to 175°C Go
  • Updated Figure 3-8 to extend to 175°C Go
  • Updated the SOA in Figure 3-10 Go
  • Updated Figure 3-12 to extend to 175°C Go

Changes from Revision * (August 2012) to Revision A (October 2012)

  • Changed the Transconductance TYP value From: 146S To: 187SGo
  • Changed RθJA From: MAX = 62°C/W To: MAX = 65°C/WGo
  • Changed Figure 3-2 Go