ZHCSAG5A November   2012  – September 2014 CSD17559Q5

PRODUCTION DATA.  

  1. 1特性
  2. 2应用范围
  3. 3说明
  4. 4修订历史记录
  5. 5Specifications
    1. 5.1 Electrical Characteristics
    2. 5.2 Thermal Information
    3. 5.3 Typical MOSFET Characteristics
  6. 6器件和文档支持
    1. 6.1 商标
    2. 6.2 静电放电警告
    3. 6.3 术语表
  7. 7机械封装和可订购信息
    1. 7.1 Q5 封装尺寸
    2. 7.2 Q5 卷带信息

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • DQH|8
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

1 特性

  • 极低电阻
  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 低热阻
  • 雪崩级
  • 无铅端子镀层
  • 符合 RoHS 标准
  • 无卤素
  • 小外形尺寸无引线 (SON) 5mm x 6mm 塑料封装

2 应用范围

  • 网络互联、电信和计算系统中的负载点同步降压
  • 同步整流
  • 有源或操作 (ORing) 和热插拔应用

3 说明

这款 30V，0.95mΩ，5mm × 6mm SON 封装 NexFET™ 功率 MOSFET 设计用于大大降低同步整流和其它功率转换应用中的损耗。

顶视图
P0093-01_LPS198.gif

产品概要

TA = 25°C 典型值 单位
VDS 漏源电压 30 V
Qg 栅极电荷总量 (4.5V) 39 nC
Qgd 栅漏栅极电荷 9.3 nC
RDS(on) 漏源导通电阻 VGS = 4.5 V 1.15 mΩ
VGS = 10V 0.95 mΩ
VGS(th) 阀值电压 1.4 V

订购信息(1)

器件 数量 介质 封装 出货
CSD17559Q5 2500 13 英寸卷带 SON 5mm x 6mm 塑料封装 卷带封装
CSD17559Q5T 250 13 英寸卷带
  1. 要了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购产品附录。

最大绝对额定值

TA = 25°C 值 单位
VDS 漏源电压 30 V
VGS 栅源电压 ±20 V
ID 持续漏极电流（受封装限制） 100 A
持续漏极电流（受芯片限制），TC = 25°C 时测得 257
持续漏极电流(1) 40 A
IDM 脉冲漏极电流(2) 400 A
PD 功率耗散(1) 3.2 W
功率耗散，TC = 25°C 96
TJ，
Tstg		 运行结温和
储存温度范围		 -55 至 150 °C
EAS 雪崩能量，单一脉冲
ID = 104A，L = 0.1mH，RG = 25Ω		 541 mJ
  1. RθJA = 40°C/W，这是在厚度为 0.06 英寸 (1.52 mm) 的环氧板 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上的 1 英寸2 (6.45 cm2)，2 盎司（厚度为 0.071 mm）的铜过渡垫片上测得的典型值
    。
  2. 最大 RθJC = 1.2°C/W，脉冲持续时间 ≤ 100μs，占空比 ≤ 1%

RDS(on) 与 VGS 间的关系

graph07p3_SLPS374.png

栅极电荷

graph04_SLPS374.png