ZHCSAE7C January   2016  – November 2023 CSD17552Q3A

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1特性
  3. 2应用
  4. 3说明
  5. 4规格
    1. 4.1 电气特性
    2. 4.2 热性能信息
    3. 4.3 典型 MOSFET 特性
  6. 5器件和文档支持
    1. 5.1 支持资源
    2. 5.2 商标
    3. 5.3 静电放电警告
    4. 5.4 术语表
  7. 6修订历史记录
  8. 7机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

3 说明

这款 30V 5.5mΩ 3.3mm × 3.3mm SON NexFET™ 功率 MOSFET 旨在用于更大限度地降低功率转换应用中的损耗。

GUID-039A0733-6C49-42AF-B094-527CA3F86992-low.gif顶视图

产品概要
TA = 25°C 典型值 单位
VDS 漏源电压 30 V
Qg 栅极电荷总量 (4.5V) 9.0 nC
Qgd 栅极电荷（栅极到漏极） 2.3 nC
RDS(on) 漏源导通电阻 VGS = 4.5V 6.5 mΩ
VGS = 10V 5.5 mΩ
VGS(th) 阈值电压 1.5 V
订购信息(1)
器件 数量 介质 封装 出货
CSD17552Q3A 2500 13 英寸卷带 SON
3.3mm × 3.3mm 塑料封装		 卷带包装
CSD17552Q3AT 250 7 英寸卷带
(1) 如需了解所有可用封装，请参阅数据表末尾的可订购产品附录。
绝对最大额定值
TA = 25°C 时测得，除非另有说明 值 单位
VDS 漏源电压 30 V
VGS 栅源电压 ±20 V
ID 持续漏极电流，TC = 25°C 60 A
持续漏极电流（受芯片限制） 74 A
持续漏极电流，TA=25°C 时测得(1) 15 A
IDM 脉冲漏极电流，TA = 25°C(2) 84 A
PD 功率耗散(1) 2.6 W
TJ、
Tstg		 工作结温，
贮存温度		 -55 至 150 °C
EAS 雪崩能量，单一脉冲
ID= 30A，L = 0.1mH，RG = 25Ω		 45 mJ
(1) RθJA = 48°C/W，这是在 0.06 英寸 (1.52mm) 厚 FR4 PCB 上的 1 平方英寸 (6.45cm2)、
2oz、0.071mm 厚铜焊盘上测得的典型值。
(2) 脉冲持续时间 ≤ 300μs，占空比 ≤ 2%

GUID-39188B81-56A3-4234-B56E-2DF6C177B92C-low.pngRDS(on) 与 VGS 之间的关系
GUID-EABD8403-5D90-429A-B878-A9564E17DD0E-low.png栅极电荷