ZHCSAE6B September   2012  – January 2016 CSD17551Q3A

PRODUCTION DATA.  

  1. 1特性
  2. 2应用
  3. 3说明
    1.     顶视图
      1.      Device Images
  4. 4修订历史记录
  5. 5Specifications
    1. 5.1 Electrical Characteristics
    2. 5.2 Thermal Information
    3. 5.3 Typical MOSFET Characteristics
  6. 6器件和文档支持
    1. 6.1 社区资源
    2. 6.2 商标
    3. 6.3 静电放电警告
    4. 6.4 Glossary
  7. 7机械、封装和可订购信息
    1. 7.1 Q3A 封装尺寸
    2. 7.2 Q3A 建议的 PCB 布局
    3. 7.3 Q3A 建议的模板布局
    4. 7.4 Q3A 卷带信息

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • DNH|8
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

3 说明

这款 30V、7.8mΩ、3.3mm × 3.3mm NexFET™功率 MOSFET 旨在用于最大程度降低功率转换应用中的 损耗。

顶视图

CSD17551Q3A P0093-01_LPS198.gif

空白

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产品概要

TA = 25°C 典型值 单位
VDS 漏源电压 30 V
Qg 总栅极电荷 (4.5V) 6.0 nC
Qgd 栅极电荷（栅极到漏极） 1.5 nC
RDS(on) 漏源导通电阻 VGS = 4.5V 9.6 mΩ
VGS = 10V 7.8 mΩ
VGS(th) 阈值电压 1.6 V

订购信息(1)

器件 数量 包装介质 封装 发货
CSD17551Q3A 2500 13 英寸卷带 小外形尺寸无引线 (SON)
3.3mm × 3.3mm 塑料封装		 卷带封装
CSD17551Q3AT 250 7 英寸卷带
  1. 如需了解所有可用封装，请参阅产品说明书末尾的可订购产品附录。

绝对最大额定值

TA = 25°C 时测得，除非另外注明 值 单位
VDS 漏源电压 30 V
VGS 栅源电压 ±20 V
ID 持续漏极电流，TC=25°C 时 48 A
持续漏极电流（受芯片限制） 48 A
持续漏极电流，TA=25°C 时测得(1) 12 A
IDM 脉冲漏极电流，TA = 25°C 时测得(2) 71 A
PD 功率耗散(1) 2.6 W
TJ，Tstg 工作结温、
储存温度		 –55 至 150 °C
EAS 雪崩能量，单一脉冲
ID=25A，L=0.1mH，RG=25Ω 时		 31 mJ
  1. RθJA = 48°C/W，这是在一块厚度为 0.06 英寸 (1.52 mm) 的 FR4 PCB 上的 1 平方英寸 (6.45cm2)，
    2 盎司覆铜焊盘上测得的典型值。
  2. 脉冲持续时间 ≤ 300μs，占空比 ≤ 2%