ZHCSXI8H March   2010  – December 2024 CSD17510Q5A

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1特性
  3. 2应用
  4. 3说明
  5. 4电气特性
  6. 5热特性
  7. 6典型 MOSFET 特性
  8. 7器件和文档支持
    1. 7.1 第三方产品免责声明
    2. 7.2 文档支持
      1. 7.2.1 相关文档
    3. 7.3 接收文档更新通知
    4. 7.4 支持资源
    5. 7.5 商标
    6. 7.6 静电放电警告
    7. 7.7 术语表
  9. 817
  10. 9机械数据

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

3 说明

NexFET™ 功率 MOSFET 旨在更大限度地降低功率转换应用中的损耗。

CSD17510Q5A 顶视图顶视图
产品概要
VDS 漏源极电压 30 V
Qg 栅极电荷总量 (4.5V) 6.4 nC
Qgd 栅漏栅极电荷 1.9 nC
RDS(on) 漏源导通电阻 VGS = 4.5V 5.4 mΩ
VGS = 10V 4.1 mΩ
VGS(th) 阈值电压 1.5 V

订购信息
器件 封装 介质 数量 运输
CSD17510Q5A SON 5mm × 6mm 塑料封装 13 英寸卷带 2500 卷带包装

绝对最大额定值
TA = 25°C 时测得，除非另有说明 值 单位
VDS 漏源极电压 30 V
VGS 栅源电压 ±20 V
ID 持续漏极电流，TC = 25°C 55 A
持续漏极电流(1) 20 A
IDM 脉冲漏极电流，TA = 25°C(2) 129 A
PD 功率耗散(1) 3 W
TJ，TSTG 运行结温和储存温度范围 -55 至 150 °C
EAS 雪崩能量，单脉冲
ID = 54A，L = 0.1mH，RG = 25Ω		 146 mJ
(1) RθJA = 41°C/W，这是在一块厚度为 0.06 英寸 (1.52mm) 的环氧树脂 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上的 1 英寸2 (6.45cm2)，2 盎司（厚度为 0.071mm）的覆铜焊盘上测得的典型值。
(2) 脉冲持续时间 ≤ 300μs，占空比 ≤2%
CSD17510Q5A 文本 4 字距 RDS(on) 与 VGS 间的关系 RDS(on) 与 VGS 间的关系
CSD17510Q5A 文本 4 字距栅极电荷栅极电荷