ZHCSBA2G April   2013  – January 2022 CSD17381F4

PRODUCTION DATA  

  1. 1特性
  2. 2应用
  3. 3说明
  4. 4Revision History
  5. 5Specifications
    1. 5.1 Electrical Characteristics
    2. 5.2 Thermal Information
    3. 5.3 Typical MOSFET Characteristics
  6. 6Device and Documentation Support
    1. 6.1 支持资源
    2. 6.2 Trademarks
    3. 6.3 Electrostatic Discharge Caution
    4. 6.4 术语表
  7. 7Mechanical, Packaging, and Orderable Information
    1. 7.1 Mechanical Dimensions
    2. 7.2 Recommended Minimum PCB Layout
    3. 7.3 Recommended Stencil Pattern

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • YJC|3
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

3 说明

此 90mΩ、30V N 沟道 FemtoFET™ MOSFET 技术经过设计和优化，能更大程度减小在许多手持式和移动应用中的空间占用。这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时将封装尺寸减小至少 60%。

典型尺寸

产品概要
TA = 25°C 典型值 单位
VDS 漏源电压 30 V
Qg 栅极电荷总量 (4.5V) 1040 pC
Qgd 栅极电荷（栅漏极） 133 pC
RDS(on) 漏源导通电阻 VGS = 1.8V 160 mΩ
VGS = 2.5V 110 mΩ
VGS = 4.5V 90 mΩ
VGS(th) 阈值电压 0.85 V

订购信息
器件(1)数量介质封装配送
CSD17381F430007 英寸卷带Femto(0402) 1.0mm × 0.6mm 无引线表面贴装器件 (SMD)卷带包装
CSD17381F4T250
(1) 如需了解所有可用封装，请参阅数据表末尾的可订购产品附录。
绝对最大额定值
TA = 25°C 时测得，除非另外注明值单位
VDS漏源电压30V
VGS栅源电压12V
ID持续漏极电流，TA = 25°C 时测得(1)3.1A
IDM脉冲漏极电流，TA = 25°C(2)12A
IG持续栅极钳位电流35mA
脉冲栅极钳位电流(2)350
PD功率耗散(1)500mW
ESD 等级人体放电模型 (HBM)4kV
充电器件模型 (CDM)2kV
TJ、
Tstg		运行结温和
贮存温度范围		-55 至 150°C
EAS雪崩能量，单脉冲 ID = 7.4A，
L = 0.1mH，RG = 25Ω		2.7mJ
(1) 典型 RθJA = 90°C/W（在 0.06 英寸 (1.52mm) 厚的 FR4 PCB 上安装 1 平方英寸 (6.45cm2)、2oz、
0.071mm 厚的铜焊盘时）。
(2) 脉冲持续时间 ≤ 100μs，占空比 ≤ 1%。
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