ZHCSHD2D January 2018 – October 2023 CSD16401Q5
PRODUCTION DATA
3 说明
这款 25V、1.3mΩ、5mm × 6mm SON NexFET™ 功率 MOSFET 旨在更大限度减小功率转换应用中的损耗。
顶视图产品概要
| TA = 25°C | 值 | 单位 | ||
|---|---|---|---|---|
| VDS | 漏源极电压 | 25 | V | |
| Qg | 总栅极电荷 (4.5V) | 21 | nC | |
| Qgd | 栅极电荷（栅漏极） | 5.2 | nC | |
| RDS(on) | 漏源 导通电阻 | VGS = 4.5V | 1.8 | mΩ |
| VGS = 10V | 1.3 | |||
| VGS(th) | 阈值电压 | 1.5 | V | |
器件信息(1)
| 器件 | 介质 | 数量 | 封装 | 出货 |
|---|---|---|---|---|
| CSD16401Q5 | 13 英寸卷带 | 2500 | SON 5.00mm × 6.00mm 塑料封装 | 卷带包装 |
(1) 如需了解所有可用封装，请参阅数据表末尾的可订购产品附录。
绝对最大额定值
| TA = 25°C | 值 | 单位 | |
|---|---|---|---|
| VDS | 漏源极电压 | 25 | V |
| VGS | 栅源电压 | –12 至 16 | V |
| ID | 持续漏极电流（受封装限制） | 100 | A) |
| 持续漏极电流（受器件限制）， TC = 25°C | 261 | ||
| 持续漏极电流(1) | 38 | ||
| IDM | 脉冲漏极电流，TA = 25°C(2) | 240 | A |
| PD | 功率耗散(1) | 3.1 | W |
| 功率耗散，TC = 25°C | 156 | ||
| TJ， Tstg | 工作结温， 贮存温度 | –55 至 150 | °C |
| EAS | 雪崩能量，单脉冲 ID = 100A，L = 0.1mH，RG = 25Ω | 500 | mJ |
(1) RθJA = 40°C/W（在 0.06in (1.52mm) 厚的 FR4 PCB 上安装 1in2 (6.45cm2)、2oz (0.071mm) 厚的铜焊盘时）。
(2) 最大 RθJC = 0.8°C/W，脉冲持续时间 ≤ 100μs，占空比 ≤ 1%。
RDS(ON)与 VGS 间的关系
栅极电荷