ZHCSBB0F July   2013  – January 2022 CSD13381F4

PRODUCTION DATA  

  1. 1特性
  2. 2应用
  3. 3说明
  4. 4Revision History
  5. 5Specifications
    1. 5.1 Electrical Characteristics
    2. 5.2 Thermal Information
    3. 5.3 Typical MOSFET Characteristics
  6. 6Device and Documentation Support
    1. 6.1 Trademarks
    2. 6.2 Electrostatic Discharge Caution
    3. 6.3 术语表
  7. 7Mechanical, Packaging, and Orderable Information
    1. 7.1 Mechanical Dimensions
    2. 7.2 Recommended Minimum PCB Layout
    3. 7.3 Recommended Stencil Pattern
    4. 7.4 CSD13381F4 Embossed Carrier Tape Dimensions

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • YJC|3
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

3 说明

此 140mΩ、12V N 沟道 FemtoFET™ MOSFET 技术经过设计和优化，能够尽可能减小许多手持式和移动应用中的空间占用。这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时将封装尺寸减小至少 60%。

产品概要
TA = 25°C 典型值 单位
VDS 漏源电压 12 V
Qg 栅极电荷总量 (4.5V) 1060 pC
Qgd 栅极电荷（栅漏极） 140 pC
RDS(on) 漏源导通电阻 VGS = 1.8V 310 mΩ
VGS = 2.5V 170 mΩ
VGS = 4.5V 140 mΩ
VGS(th) 阈值电压 0.85 V
订购信息
器件(1) 数量 包装介质 封装 配送
CSD13381F4 3000 7 英寸卷带 Femto (0402) 1.0mm × 0.6mm 无引线 SMD 卷带包装
CSD13381F4T 250
(1) 如需了解所有可用封装，请参阅数据表末尾的可订购产品附录。
绝对最大额定值
TA = 25°C 时测得，除非另外注明 值 单位
VDS 漏源电压 12 V
VGS 栅源电压 8 V
ID 持续漏极电流，TA = 25°C 时测得(1) 2.1 A
IDM 脉冲漏极电流，TA = 25°C(2) 7 A
IG 持续栅极钳位电流 35 mA
脉冲栅极钳位电流(2) 350
PD 功率耗散(1) 500 mW
ESD 等级 人体放电模型 (HBM) 4 kV
充电器件模型 (CDM) 2 kV
TJ、
Tstg		 运行结温和
贮存温度范围		 -55 至 150 °C
EAS 雪崩能量，单脉冲 ID = 7.4A，
L = 0.1mH，RG = 25Ω		 2.7 mJ
(1) 典型 RθJA = 90°C/W（在 0.06 英寸 (1.52mm) 厚的 FR4 PCB 上安装 1 平方英寸 (6.45cm2)、2oz、0.071mm 厚的铜焊盘时）。
(2) 脉冲持续时间 ≤ 300μs，占空比 ≤ 2%
典型器件尺寸
顶视图