ZHCSDH7 March   2015 CSD13306W

PRODUCTION DATA.  

  1. 1特性
  2. 2应用范围
  3. 3说明
  4. 4修订历史记录
  5. 5Specifications
    1. 5.1 Electrical Characteristics
    2. 5.2 Thermal Information
    3. 5.3 Typical MOSFET Characteristics
  6. 6器件和文档支持
    1. 6.1 商标
    2. 6.2 静电放电警告
    3. 6.3 术语表
  7. 7机械封装和可订购信息
    1. 7.1 CSD13306W 封装尺寸
    2. 7.2 卷带信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

1 特性

  • 超低导通电阻
  • 低 Qg 和 Qgd
  • 1mm x 1.5mm 小尺寸封装
  • 低高度（高度为 0.62mm）
  • 无铅
  • 符合 RoHS 环保标准
  • 无卤素

2 应用范围

  • 电池管理
  • 负载开关
  • 电池保护

3 说明

这款 8.8mΩ、12V N 通道器件设计用于在超薄且具有出色散热特性的 1.5 mm × 1mm 小外形封装内提供最低的导通电阻和栅极电荷。

顶视图
CSD13306W Pin_Map.gif

产品概要

TA = 25°C 典型值 单位
VDS 漏源电压 12 V
Qg 栅极电荷总量 (4.5V) 8.6 nC
Qgd 栅极电荷（栅极到漏极） 3.0 nC
RDS(on) 漏源导通电阻 VGS = 2.5V 12.9 mΩ
VGS = 4.5V 8.8 mΩ
VGS(th) 电压阈值 1.0 V

订购信息(1)

器件 数量 介质 封装 出货
CSD13306W 3000 7 英寸卷带 1.0mm × 1.5mm 晶圆级封装 卷带封装
CSD13306WT 250 7 英寸卷带
  1. 要了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购产品附录。

最大绝对额定值

TA = 25°C 值 单位
VDS 漏源电压 12 V
VGS 栅源电压 ±10 V
ID 持续漏极电流(1) 3.5 A
IDM 脉冲漏极电流 (2) 44 A
PD 功率耗散(3) 1.9 W
Tstg 储存温度范围 -55 至 150 °C
TJ 工作结温范围
  1. 器件在 105ºC 温度下运行
  2. RθJA = 230°C/W（覆铜面积最小时的典型值），脉宽 ≤ 100μs，占空比 ≤ 1%
  3. RθJA = 65°C/W（覆铜面积最大时的典型值）

RDS(on) 与 VGS 间的关系

CSD13306W D007_SLPS536.gif

栅极电荷

CSD13306W D004_SLPS536_FP.gif