ZHCSQL3C December   2024  – July 2025 CDC6C

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 环境合规性
    4. 6.4 建议运行条件
    5. 6.5 热性能信息
    6. 6.6 电气特性
    7. 6.7 时序图
    8. 6.8 典型特性
  8. 7 参数测量信息
    1. 7.1 器件输出配置
  9. 8 详细说明
    1. 8.1 概述
    2. 8.2 功能方框图
    3. 8.3 特性说明
      1. 8.3.1 体声波 (BAW)
      2. 8.3.2 器件块级描述
      3. 8.3.3 功能引脚
      4. 8.3.4 时钟输出连接和端接
      5. 8.3.5 温度稳定性
      6. 8.3.6 机械稳健性
    4. 8.4 器件功能模式
  10. 9 应用和实施
    1. 9.1 应用信息
      1. 9.1.1 使用单个 CDC6Cx 振荡器驱动多个负载
      2. 9.1.2 CDC6Cx CISPR25 辐射发射性能
    2. 9.2 典型应用
      1. 9.2.1 设计要求
      2. 9.2.2 详细设计过程
      3. 9.2.3 应用曲线
    3. 9.3 电源相关建议
    4. 9.4 布局
      1. 9.4.1 布局指南
        1. 9.4.1.1 提供热可靠性
        2. 9.4.1.2 建议的回流焊曲线
      2. 9.4.2 布局示例
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 文档支持
      1. 10.1.1 相关文档
    2. 10.2 接收文档更新通知
    3. 10.3 支持资源
    4. 10.4 商标
    5. 10.5 静电放电警告
    6. 10.6 术语表
  12. 11修订历史记录
  13. 12机械、封装和可订购信息
    1. 12.1 卷带包装信息
    2. 12.2 可订购器件型号（解码器）

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • DLX|4
  • DLF|4
  • DLE|4
  • DLY|4
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

6.6 电气特性

在建议运行条件下测得（VDD = 1.8V ± 10%，2.5V ± 10%，3.3V ± 10%；除非另有说明，否则典型值为 25°C 下的值）
参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
电流消耗特性
IDD 器件电流消耗（不包括负载电流） -40℃ 至 85℃，Fout = 20MHz，Vdd = 1.8V ± 10% 4.22 6.7 mA
-40℃ 至 85℃，Fout = 20MHz，Vdd = 3.3V ± 10% 4.41 6.7 mA
-40℃ 至 105℃，Fout = 20MHz，Vdd = 1.8V ± 10% 4.22 7.3 mA
-40℃ 至 105℃，Fout = 20MHz，Vdd = 3.3V ± 10% 4.41 7.3 mA
IDD 器件电流消耗（不包括负载电流） -40℃ 至 85℃，Fout = 25MHz，Vdd = 1.8V ± 10% 4.32 6.8 mA
-40℃ 至 85℃，Fout = 25MHz，Vdd = 3.3V ± 10% 4.57 6.9 mA
-40℃ 至 105℃，Fout = 25MHz，Vdd = 1.8V ± 10% 4.32 7.4 mA
-40℃ 至 105℃，Fout = 25MHz，Vdd = 3.3V ± 10% 4.57 7.5 mA
IDD 器件电流消耗（不包括负载电流） -40℃ 至 85℃，Fout = 50MHz，Vdd = 1.8V ± 10% 4.84 7.1 mA
-40℃ 至 85℃，Fout = 50MHz，Vdd = 3.3V ± 10% 5.33 7.2 mA
-40℃ 至 105℃，Fout = 50MHz，Vdd = 1.8V ± 10% 4.84 7.6 mA
-40℃ 至 105℃，Fout = 50MHz，Vdd = 3.3V ± 10% 5.33 7.8 mA
IDD 器件电流消耗（不包括负载电流） -40℃ 至 85℃，Fout = 100MHz，Vdd = 1.8V ± 10% 5.86 7.6 mA
-40℃ 至 85℃，Fout = 100MHz，Vdd = 3.3V ± 10% 6.77 9.0 mA
-40℃ 至 105℃，Fout = 100MHz，Vdd = 1.8V ± 10% 5.86 8.2 mA
-40℃ 至 105℃，Fout = 100MHz，Vdd = 3.3V ± 10% 6.77 9.0 mA
IDD 器件电流消耗（不包括负载电流） -40℃ 至 85℃，Fout = 150MHz，Vdd = 1.8V ± 10% 7.14 9.5 mA
-40℃ 至 85℃，Fout = 150MHz，Vdd = 3.3V ± 10% 8.72 11.0 mA
-40℃ 至 105℃，Fout = 150MHz，Vdd = 1.8V ± 10% 7.14 9.5 mA
-40℃ 至 105℃，Fout = 150MHz，Vdd = 3.3V ± 10% 8.72 11.0 mA
IDD_stdby 器件待机电流 -40℃ 至 85℃，ST = 接地，Vdd=1.8V ± 10% 1.5 µA
-40℃ 至 85℃，ST = 接地，Vdd=2.5V ± 10% 2 µA
-40℃ 至 85℃，ST = 接地，Vdd=3.3V ± 10% 2.7 µA
-40℃ 至 105℃，ST = 接地，Vdd=1.8V ± 10% 1.5 µA
-40℃ 至 105℃，ST = 接地，Vdd=2.5V ± 10% 2 µA
-40℃ 至 105℃，ST = 接地，Vdd=3.3V ± 10% 2.7 µA
IDD-OD 输出禁用时的器件电流 -40℃ 至 85℃，Fout = 25MHz，Vdd = 1.8V ± 10% 3.75 6.4 mA
-40℃ 至 85℃，Fout = 25MHz，Vdd = 3.3V ± 10% 3.76 6.5 mA
-40℃ 至 105℃，Fout = 25MHz，Vdd = 1.8V ± 10% 3.75 7 mA
-40℃ 至 105℃，Fout = 25MHz，Vdd = 3.3V ± 10% 3.76 7.1 mA
输出特性
Fout 输出频率 0.25 200 MHz
VOL 输出低电压 IOL = 3.6mA、VDD = 1.8V 0.36 V
IOL = 5.0mA、VDD = 2.5V 0.5 V
IOL = 6.6mA、VDD = 3.3V 0.66 V
VOH 输出高电压 IOH = 3.6mA、VDD = 1.8V VDD × 0.88 V
IOH = 5.0mA、VDD = 2.5V VDD × 0.85 V
IOH = 6.6mA、VDD = 3.3V VDD × 0.85 V
tR/tF 输出上升/下降时间 VOH-VOL 的 20% 至 80%，CL = 2pF，正常模式，Fout = 25MHz 0.28 0.65 ns
tR/tF 输出上升/下降时间 VOH-VOL 的 20% 至 80%，CL = 2pF，慢速模式 1，Fout = 25MHz 0.42 0.75 ns
tR/tF 输出上升/下降时间 VOH-VOL 的 20% 至 80%，CL = 5pF，正常模式，Fout = 25MHz 0.33 0.8 ns
tR/tF 输出上升/下降时间 VOH-VOL 的 20% 至 80%，CL = 5pF，慢速模式 2，Fout = 25MHz 1.11 2.0 ns
tR/tF 输出上升/下降时间 VOH-VOL 的 20% 至 80%，CL = 10pF，正常模式，Fout = 25MHz 0.44 1.7 ns
tR/tF 输出上升/下降时间 VOH-VOL 的 20% 至 80%，CL = 10pF，慢速模式 3，Fout = 25MHz 1.85 3.1 ns
tR/tF 输出上升/下降时间 VOH-VOL 的 20% 至 80%，CL = 15pF，正常模式，Fout = 25MHz 0.87 2.2 ns
tR/tF 输出上升/下降时间 VOH-VOL 的 20% 至 80%，CL = 15pF，慢速模式 4，Fout = 25MHz 2.7 4.0 ns
ODC 输出占空比 45 50 55 %
PN-Floor 输出相位噪底 (fOFFSET > 10MHz) Fout = 50MHz -155 dBc/Hz
CL 最大容性负载 Fout < 50MHz 30 pF
CL Fout > 50MHz 15 pF
Rout-high 输出阻抗 37.5 50 62.5 Ω
功能引脚特性 (OE/ST)
VIL 输入低电压 0.6 V
VIH 输入高电压 1.3 V
IIL 输入低电流 EN = GND -40 µA
IIH 输入高电流 EN = VDD 40 µA
CIN 输入电容(1) 2 pF
频率容差
FT 总频率稳定性 仅适用于 DLE、DLF 和 DLX 封装。包括：焊接漂移、初始容差、-40℃ 到 105℃ 温度范围内的变化、电源电压范围内的变化以及 25℃ 条件下的 10 年老化。 ±25 ppm
FT 总频率稳定性 仅适用于 DLE、DLF 和 DLX 封装。包括：焊接漂移、初始容差、-40℃ 到 105℃ 温度范围内的变化、电源电压范围内的变化以及 25℃ 条件下的 1 年老化。 ±20 ppm
FT 总频率稳定性 仅限 DLY 封装。包括：焊接漂移、初始容差、-40℃ 到 105℃ 温度范围内的变化、电源电压范围内的变化以及 25℃ 条件下的 10 年老化。 ±50 ppm
FT 总频率稳定性 仅限 DLY 封装。包括：焊接漂移、初始容差、-40℃ 到 105℃ 温度范围内的变化、电源电压范围内的变化以及 25℃ 条件下的 1 年老化。 ±45 ppm
FT 总频率稳定性 仅适用于 DLE、DLF 和 DLX 封装。包括：焊接漂移、初始容差、-40℃ 到 85℃ 温度范围内的变化、电源电压范围内的变化以及 25℃ 条件下的 10 年老化。 ±25 ppm
FT 总频率稳定性 仅适用于 DLE、DLF 和 DLX 封装。包括：焊接漂移、初始容差、-40℃ 到 85℃ 温度范围内的变化、电源电压范围内的变化以及 25℃ 条件下的 1 年老化。 ±20 ppm
FT 总频率稳定性 仅限 DLY 封装。包括：焊接漂移、初始容差、-40℃ 到 85℃ 温度范围内的变化、电源电压范围内的变化以及 25℃ 条件下的 10 年老化。 ±50 ppm
FT 总频率稳定性 仅限 DLY 封装。包括：焊接漂移、初始容差、-40℃ 到 85℃ 温度范围内的变化、电源电压范围内的变化以及 25℃ 条件下的 1 年老化。 ±45 ppm
PSRR 特性
PSRR 输出频率为 50MHz，VDD = 2.5V/3.3V，无电源去耦电容时，50mV 电源纹波引起的杂散 50kHz 处的正弦波 -80 dBc
100kHz 处的正弦波 -75 dBc
500kHz 处的正弦波 -63 dBc
1MHz 处的正弦波 -59 dBc
上电特性
tSTART_UP 启动时间 从 0.95 × VDD 到输出启用并达到规格的时间。OE/ST = 高电平；将电源电压斜坡时间设为 200µs 进行测试 1.5 3 ms
tRESUME 芯片恢复时间 从 ST = VIH 到输出启用并达到规格的时间 3 ms
tST-DIS 芯片禁用时间 从 ST = VIL 到芯片处于待机模式的时间 (Fout > 100MHz) 250 ns
tOE-EN 输出使能时间 从 OE = VIH 到输出启用并达到规格的时间 (Fout > 100MHz) 250 ns
tOE-DIS 输出禁用时间 从 OE = VIL 到输出禁用的时间 (Fout > 100MHz) 250 ns
时钟输出抖动
RJ 随机相位抖动 10MHz ≤ Fout < 25MHz，集成 BW：12kHz - 5MHz，最高温度 = 105°C 400 1000 fs
RJ 随机相位抖动 25MHz ≤ Fout ≤ 200MHz，集成 BW：12kHz - 20MHz，最高温度 = 105°C 400 1000 fs
SPN100k 1kHz 偏移时的点相位噪声 Fout = 100MHz -86 dBc/Hz
SPN100k 10kHz 偏移时的点相位噪声 Fout = 100MHz -120 dBc/Hz
SPN100k 100kHz 偏移时的点相位噪声 Fout = 100MHz -138 dBc/Hz
SPN1M 1MHz 偏移时的点相位噪声 Fout = 100MHz -143 dBc/Hz
RJITT,RMS RMS 周期抖动 Fout ≥ 25MHz  3 ps
RJITT,PK 峰峰值周期抖动 Fout ≥ 25MHz 26 ps
(1) 由设计验证。未表征