ZHCSN01B December   2022  – February 2024 BQ25628 , BQ25629

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 说明（续）
  6. 5 器件比较
  7. 6 引脚配置和功能
  8. 7 规格
    1. 7.1 绝对最大额定值
    2. 7.2 ESD 等级
    3. 7.3 建议运行条件
    4. 7.4 热性能信息
    5. 7.5 电气特性
    6. 7.6 时序要求
    7. 7.7 典型特性
  9. 8 详细说明
    1. 8.1 概述
    2. 8.2 功能方框图
    3. 8.3 特性说明
      1. 8.3.1  上电复位 (POR)
      2. 8.3.2  通过电池实现器件上电
      3. 8.3.3  通过输入源实现器件上电
        1. 8.3.3.1 REGN LDO 上电
        2. 8.3.3.2 不良源鉴定
        3. 8.3.3.3 D+/D– 检测设置输入电流限值 (BQ25629)
        4. 8.3.3.4 ILIM 引脚（仅限 BQ25628）
        5. 8.3.3.5 输入电压限制阈值设置（VINDPM 阈值）
        6. 8.3.3.6 转换器上电
      4. 8.3.4  电源路径管理
        1. 8.3.4.1 窄 VDC 架构
        2. 8.3.4.2 动态电源管理
        3. 8.3.4.3 高阻抗模式
      5. 8.3.5  电池充电管理
        1. 8.3.5.1 自主充电周期
        2. 8.3.5.2 电池充电曲线
        3. 8.3.5.3 充电终止
        4. 8.3.5.4 热敏电阻认证
          1. 8.3.5.4.1 充电模式下的高级温度曲线
          2. 8.3.5.4.2 TS 引脚热敏电阻配置
          3. 8.3.5.4.3 OTG 模式下的冷/热温度窗口
          4. 8.3.5.4.4 JEITA 充电率调节
          5. 8.3.5.4.5 TS_BIAS 引脚
        5. 8.3.5.5 充电安全计时器
      6. 8.3.6  USB On-The-Go (OTG)
        1. 8.3.6.1 升压 OTG 模式
        2. 8.3.6.2 旁路 OTG 模式
        3. 8.3.6.3 PMID 电压指示器 (PMID_GD)
      7. 8.3.7  用于监测的集成 12 位 ADC
      8. 8.3.8  状态输出（STAT、INT）
        1. 8.3.8.1 中断和状态、标志和屏蔽位
        2. 8.3.8.2 充电状态指示灯 (STAT)
        3. 8.3.8.3 主机中断 (INT)
      9. 8.3.9  BATFET 控制
        1. 8.3.9.1 关断模式
        2. 8.3.9.2 运输模式
        3. 8.3.9.3 系统电源复位
      10. 8.3.10 保护功能
        1. 8.3.10.1 仅电池模式和 HIZ 模式下的电压和电流监测
          1. 8.3.10.1.1 电池欠压锁定
          2. 8.3.10.1.2 电池过流保护
        2. 8.3.10.2 降压模式下的电压和电流监测
          1. 8.3.10.2.1 输入过压
          2. 8.3.10.2.2 系统过压保护 (SYSOVP)
          3. 8.3.10.2.3 正向转换器逐周期电流限制
          4. 8.3.10.2.4 系统短路
          5. 8.3.10.2.5 电池过压保护 (BATOVP)
          6. 8.3.10.2.6 睡眠比较器和不良源比较器
          7. 8.3.10.2.7 PMID OVP 和 VBUS 过流
        3. 8.3.10.3 升压模式下的电压和电流监测
          1. 8.3.10.3.1 升压模式过压保护
          2. 8.3.10.3.2 升压模式占空比保护
          3. 8.3.10.3.3 升压模式 PMID 欠压保护
          4. 8.3.10.3.4 升压模式电池欠压
          5. 8.3.10.3.5 升压转换器逐周期电流限制
          6. 8.3.10.3.6 升压模式 SYS 短路
        4. 8.3.10.4 旁路模式下的电压和电流监测
          1. 8.3.10.4.1 旁路模式过压保护
          2. 8.3.10.4.2 旁路模式电池 OCP
          3. 8.3.10.4.3 旁路模式反向电流保护
          4. 8.3.10.4.4 旁路模式电池欠压
          5. 8.3.10.4.5 旁路模式 SYS 短路
          6. 8.3.10.4.6 旁路模式 REGN 故障
        5. 8.3.10.5 热调节和热关断
          1. 8.3.10.5.1 降压模式下的过热保护
          2. 8.3.10.5.2 升压模式下的过热保护
          3. 8.3.10.5.3 仅电池模式下的过热保护
    4. 8.4 器件功能模式
      1. 8.4.1 主机模式和默认模式
      2. 8.4.2 复位寄存器位
    5. 8.5 编程
      1. 8.5.1 串行接口
        1. 8.5.1.1 数据有效性
        2. 8.5.1.2 START 和 STOP 条件
        3. 8.5.1.3 字节格式
        4. 8.5.1.4 确认 (ACK) 和否定确认 (NACK)
        5. 8.5.1.5 目标地址和数据方向位
        6. 8.5.1.6 单独写入和读取
        7. 8.5.1.7 多个写入和多个读取
    6. 8.6 寄存器映射
      1. 8.6.1 寄存器编程
      2. 8.6.2 BQ25628 寄存器
  10. 9 应用和实施
    1. 9.1 应用信息
    2. 9.2 典型应用
      1. 9.2.1 设计要求
      2. 9.2.2 详细设计过程
        1. 9.2.2.1 电感器选型
        2. 9.2.2.2 输入电容器
        3. 9.2.2.3 输出电容器
      3. 9.2.3 应用曲线
  11. 10电源相关建议
  12. 11布局
    1. 11.1 布局指南
    2. 11.2 布局示例
  13. 12器件和文档支持
    1. 12.1 器件支持
      1. 12.1.1 第三方产品免责声明
    2. 12.2 文档支持
      1. 12.2.1 相关文档
    3. 12.3 接收文档更新通知
    4. 12.4 支持资源
    5. 12.5 商标
    6. 12.6 静电放电警告
    7. 12.7 术语表
  14. 13修订历史记录
  15. 14机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

11.1 布局指南

为了实现最低的开关损耗，应尽可能缩短开关节点的上升和下降时间。对于防止电场和磁场辐射以及高频谐振问题，采用合适的元件布局来尽可能简化高频电流路径环路（参阅图 11-1）非常重要。请仔细按照以下特定顺序来实现正确的布局。

  1. 为了在正向/充电模式期间实现最低的开关噪声，应先后将去耦电容器 CPMID1 和大容量电容器 CPMID2 正极端子放置在尽可能靠近 PMID 引脚的位置。使用最短的铜线连接或与 IC 位于同一层的 GND 平面，将电容器接地端子靠近 GND 引脚放置。请参阅图 11-2。
  2. 为了在反向/OTG 模式期间实现最低的开关噪声，应将 CSYS1 和 CSYS2 输出电容器的正极端子靠近 SYS 引脚放置。电容器的接地端子必须经过多个过孔向下到达一个全接地内部层，而这个内部层通过 IC 下方的多个过孔返回到 IC GND 引脚。请参阅图 11-2。
  3. 由于 REGN 为内部栅极驱动器供电，因此应将 CREGN 电容器正极端子靠近 REGN 引脚放置以最大限度降低开关噪声。电容器的接地端子必须经过多个过孔向下到达一个全接地内部层，而这个内部层通过 IC 下方的多个过孔返回到 IC GND 引脚。请参阅图 11-2。
  4. 将 CVBUS 和 CBAT 电容器正极端子尽可能靠近 VBUS 和 BAT 引脚放置。电容器的接地端子必须经过多个过孔向下到达一个全接地内部层，而这个内部层通过 IC 下方的多个过孔返回到 IC GND 引脚。请参阅图 11-2。
  5. 将电感器输入引脚放置在 SYS 引脚电容器的正极端子附近。由于 PMID 电容器的放置要求，电感器的开关节点端子必须通过多个过孔向下到达另一个内部层，而这个内部层上的宽布线通过多个过孔返回到 SW 引脚。请参阅图 11-3。使用多个过孔可确保过孔的额外电阻可忽略不计（与电感器的直流电阻相比），因此不会影响效率。与电感器的电感相比，过孔额外的串联电感可以忽略不计。
  6. 将 BTST 电容器放置在 IC 的另一侧，以使用通孔连接到 BTST 引脚和 SW 节点。请参阅图 11-4。
  7. 如果将非功率相关电阻器和电容器放置在远离功率元件布线和平面的位置，则不需要单独的模拟 GND 平面。
  8. 确保 I2C SDA 和 SCL 线路的布线远离 SW 节点。

此外，BQ25628 的 PCB 封装和阻焊层应覆盖每个引脚的全部长度，这一点很重要。与其他引脚相比，GND、SW、PMID、SYS 和 BAT 引脚在封装中延伸更深入。使用这些引脚的全部长度可降低寄生电阻并提高从封装到电路板中的导热性。