ZHCSN01B December   2022  – February 2024 BQ25628 , BQ25629

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 说明（续）
  6. 5 器件比较
  7. 6 引脚配置和功能
  8. 7 规格
    1. 7.1 绝对最大额定值
    2. 7.2 ESD 等级
    3. 7.3 建议运行条件
    4. 7.4 热性能信息
    5. 7.5 电气特性
    6. 7.6 时序要求
    7. 7.7 典型特性
  9. 8 详细说明
    1. 8.1 概述
    2. 8.2 功能方框图
    3. 8.3 特性说明
      1. 8.3.1  上电复位 (POR)
      2. 8.3.2  通过电池实现器件上电
      3. 8.3.3  通过输入源实现器件上电
        1. 8.3.3.1 REGN LDO 上电
        2. 8.3.3.2 不良源鉴定
        3. 8.3.3.3 D+/D– 检测设置输入电流限值 (BQ25629)
        4. 8.3.3.4 ILIM 引脚（仅限 BQ25628）
        5. 8.3.3.5 输入电压限制阈值设置（VINDPM 阈值）
        6. 8.3.3.6 转换器上电
      4. 8.3.4  电源路径管理
        1. 8.3.4.1 窄 VDC 架构
        2. 8.3.4.2 动态电源管理
        3. 8.3.4.3 高阻抗模式
      5. 8.3.5  电池充电管理
        1. 8.3.5.1 自主充电周期
        2. 8.3.5.2 电池充电曲线
        3. 8.3.5.3 充电终止
        4. 8.3.5.4 热敏电阻认证
          1. 8.3.5.4.1 充电模式下的高级温度曲线
          2. 8.3.5.4.2 TS 引脚热敏电阻配置
          3. 8.3.5.4.3 OTG 模式下的冷/热温度窗口
          4. 8.3.5.4.4 JEITA 充电率调节
          5. 8.3.5.4.5 TS_BIAS 引脚
        5. 8.3.5.5 充电安全计时器
      6. 8.3.6  USB On-The-Go (OTG)
        1. 8.3.6.1 升压 OTG 模式
        2. 8.3.6.2 旁路 OTG 模式
        3. 8.3.6.3 PMID 电压指示器 (PMID_GD)
      7. 8.3.7  用于监测的集成 12 位 ADC
      8. 8.3.8  状态输出（STAT、INT）
        1. 8.3.8.1 中断和状态、标志和屏蔽位
        2. 8.3.8.2 充电状态指示灯 (STAT)
        3. 8.3.8.3 主机中断 (INT)
      9. 8.3.9  BATFET 控制
        1. 8.3.9.1 关断模式
        2. 8.3.9.2 运输模式
        3. 8.3.9.3 系统电源复位
      10. 8.3.10 保护功能
        1. 8.3.10.1 仅电池模式和 HIZ 模式下的电压和电流监测
          1. 8.3.10.1.1 电池欠压锁定
          2. 8.3.10.1.2 电池过流保护
        2. 8.3.10.2 降压模式下的电压和电流监测
          1. 8.3.10.2.1 输入过压
          2. 8.3.10.2.2 系统过压保护 (SYSOVP)
          3. 8.3.10.2.3 正向转换器逐周期电流限制
          4. 8.3.10.2.4 系统短路
          5. 8.3.10.2.5 电池过压保护 (BATOVP)
          6. 8.3.10.2.6 睡眠比较器和不良源比较器
          7. 8.3.10.2.7 PMID OVP 和 VBUS 过流
        3. 8.3.10.3 升压模式下的电压和电流监测
          1. 8.3.10.3.1 升压模式过压保护
          2. 8.3.10.3.2 升压模式占空比保护
          3. 8.3.10.3.3 升压模式 PMID 欠压保护
          4. 8.3.10.3.4 升压模式电池欠压
          5. 8.3.10.3.5 升压转换器逐周期电流限制
          6. 8.3.10.3.6 升压模式 SYS 短路
        4. 8.3.10.4 旁路模式下的电压和电流监测
          1. 8.3.10.4.1 旁路模式过压保护
          2. 8.3.10.4.2 旁路模式电池 OCP
          3. 8.3.10.4.3 旁路模式反向电流保护
          4. 8.3.10.4.4 旁路模式电池欠压
          5. 8.3.10.4.5 旁路模式 SYS 短路
          6. 8.3.10.4.6 旁路模式 REGN 故障
        5. 8.3.10.5 热调节和热关断
          1. 8.3.10.5.1 降压模式下的过热保护
          2. 8.3.10.5.2 升压模式下的过热保护
          3. 8.3.10.5.3 仅电池模式下的过热保护
    4. 8.4 器件功能模式
      1. 8.4.1 主机模式和默认模式
      2. 8.4.2 复位寄存器位
    5. 8.5 编程
      1. 8.5.1 串行接口
        1. 8.5.1.1 数据有效性
        2. 8.5.1.2 START 和 STOP 条件
        3. 8.5.1.3 字节格式
        4. 8.5.1.4 确认 (ACK) 和否定确认 (NACK)
        5. 8.5.1.5 目标地址和数据方向位
        6. 8.5.1.6 单独写入和读取
        7. 8.5.1.7 多个写入和多个读取
    6. 8.6 寄存器映射
      1. 8.6.1 寄存器编程
      2. 8.6.2 BQ25628 寄存器
  10. 9 应用和实施
    1. 9.1 应用信息
    2. 9.2 典型应用
      1. 9.2.1 设计要求
      2. 9.2.2 详细设计过程
        1. 9.2.2.1 电感器选型
        2. 9.2.2.2 输入电容器
        3. 9.2.2.3 输出电容器
      3. 9.2.3 应用曲线
  11. 10电源相关建议
  12. 11布局
    1. 11.1 布局指南
    2. 11.2 布局示例
  13. 12器件和文档支持
    1. 12.1 器件支持
      1. 12.1.1 第三方产品免责声明
    2. 12.2 文档支持
      1. 12.2.1 相关文档
    3. 12.3 接收文档更新通知
    4. 12.4 支持资源
    5. 12.5 商标
    6. 12.6 静电放电警告
    7. 12.7 术语表
  14. 13修订历史记录
  15. 14机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

8.3.6.3 PMID 电压指示器 (PMID_GD)

在 BQ25628 和 BQ25629 中，附件器件可连接到充电器 PMID 引脚，从而通过 Q1 直接路径从适配器获取电源或从电池升压模式获取电源。在 PMID 引脚和附件输入端之间可放置一个可选的外部 PMOS FET，以便在过流和过压情况下断开电源路径。这个外部 PMOS FET 由 PMID_GD 通过逆变器进行驱动。PMID_GD 高电平会打开逆变器，以便将 PMOS FET 栅极拉至低电平来使 PMOS FET 导通，而 PMID_GD 低电平会使 PMOS FET 关断。

适配器插入后，当 VBUS 升至高于 VBAT 但低于 VPMID_OVP 时，PMID_GD 从低电平变为高电平，并会通过不良源检测。如果适配器电压大于 VPMID_OVP 但小于 VVBUS_OVP，则会将 PMID_GD 驱动为低电平，但如果满足所有其他条件，则会为电池充电。在此状态下，外部 PMOS FET 将保持关断状态以保护附件免受过压故障的影响。

移除适配器后，PMID_GD 会在电池升压模式启动之前变为低电平。在电池升压模式下，该器件会将 PMID 电压调节为 VOTG 寄存器设置，作为附件器件的稳定电源。当 PMID 电压上升到高于 VOTG_UVPZ时，PMID_GOOD 从低电平变为高电平。一旦 PMID 电压超出此范围，PMID_GOOD 会变为低电平以断开附件器件与 PMID 的连接。在升压模式期间，任何退出升压模式的条件也会将 PMID_GD 从高电平驱动至低电平。请参阅节 8.3.6.1，查看这些条件的列表。

如果器件进入旁路 OTG 模式，则当启用 HSFET (Q2) 后，PMID_GD 会从低电平变为高电平。在旁路 OTG 模式期间，任何退出条件也会将 PMID_GD 从高电平驱动至低电平。请参阅节 8.3.6.2，查看这些条件的列表。