ZHCSN01B December   2022  – February 2024 BQ25628 , BQ25629

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 说明（续）
  6. 5 器件比较
  7. 6 引脚配置和功能
  8. 7 规格
    1. 7.1 绝对最大额定值
    2. 7.2 ESD 等级
    3. 7.3 建议运行条件
    4. 7.4 热性能信息
    5. 7.5 电气特性
    6. 7.6 时序要求
    7. 7.7 典型特性
  9. 8 详细说明
    1. 8.1 概述
    2. 8.2 功能方框图
    3. 8.3 特性说明
      1. 8.3.1  上电复位 (POR)
      2. 8.3.2  通过电池实现器件上电
      3. 8.3.3  通过输入源实现器件上电
        1. 8.3.3.1 REGN LDO 上电
        2. 8.3.3.2 不良源鉴定
        3. 8.3.3.3 D+/D– 检测设置输入电流限值 (BQ25629)
        4. 8.3.3.4 ILIM 引脚（仅限 BQ25628）
        5. 8.3.3.5 输入电压限制阈值设置（VINDPM 阈值）
        6. 8.3.3.6 转换器上电
      4. 8.3.4  电源路径管理
        1. 8.3.4.1 窄 VDC 架构
        2. 8.3.4.2 动态电源管理
        3. 8.3.4.3 高阻抗模式
      5. 8.3.5  电池充电管理
        1. 8.3.5.1 自主充电周期
        2. 8.3.5.2 电池充电曲线
        3. 8.3.5.3 充电终止
        4. 8.3.5.4 热敏电阻认证
          1. 8.3.5.4.1 充电模式下的高级温度曲线
          2. 8.3.5.4.2 TS 引脚热敏电阻配置
          3. 8.3.5.4.3 OTG 模式下的冷/热温度窗口
          4. 8.3.5.4.4 JEITA 充电率调节
          5. 8.3.5.4.5 TS_BIAS 引脚
        5. 8.3.5.5 充电安全计时器
      6. 8.3.6  USB On-The-Go (OTG)
        1. 8.3.6.1 升压 OTG 模式
        2. 8.3.6.2 旁路 OTG 模式
        3. 8.3.6.3 PMID 电压指示器 (PMID_GD)
      7. 8.3.7  用于监测的集成 12 位 ADC
      8. 8.3.8  状态输出（STAT、INT）
        1. 8.3.8.1 中断和状态、标志和屏蔽位
        2. 8.3.8.2 充电状态指示灯 (STAT)
        3. 8.3.8.3 主机中断 (INT)
      9. 8.3.9  BATFET 控制
        1. 8.3.9.1 关断模式
        2. 8.3.9.2 运输模式
        3. 8.3.9.3 系统电源复位
      10. 8.3.10 保护功能
        1. 8.3.10.1 仅电池模式和 HIZ 模式下的电压和电流监测
          1. 8.3.10.1.1 电池欠压锁定
          2. 8.3.10.1.2 电池过流保护
        2. 8.3.10.2 降压模式下的电压和电流监测
          1. 8.3.10.2.1 输入过压
          2. 8.3.10.2.2 系统过压保护 (SYSOVP)
          3. 8.3.10.2.3 正向转换器逐周期电流限制
          4. 8.3.10.2.4 系统短路
          5. 8.3.10.2.5 电池过压保护 (BATOVP)
          6. 8.3.10.2.6 睡眠比较器和不良源比较器
          7. 8.3.10.2.7 PMID OVP 和 VBUS 过流
        3. 8.3.10.3 升压模式下的电压和电流监测
          1. 8.3.10.3.1 升压模式过压保护
          2. 8.3.10.3.2 升压模式占空比保护
          3. 8.3.10.3.3 升压模式 PMID 欠压保护
          4. 8.3.10.3.4 升压模式电池欠压
          5. 8.3.10.3.5 升压转换器逐周期电流限制
          6. 8.3.10.3.6 升压模式 SYS 短路
        4. 8.3.10.4 旁路模式下的电压和电流监测
          1. 8.3.10.4.1 旁路模式过压保护
          2. 8.3.10.4.2 旁路模式电池 OCP
          3. 8.3.10.4.3 旁路模式反向电流保护
          4. 8.3.10.4.4 旁路模式电池欠压
          5. 8.3.10.4.5 旁路模式 SYS 短路
          6. 8.3.10.4.6 旁路模式 REGN 故障
        5. 8.3.10.5 热调节和热关断
          1. 8.3.10.5.1 降压模式下的过热保护
          2. 8.3.10.5.2 升压模式下的过热保护
          3. 8.3.10.5.3 仅电池模式下的过热保护
    4. 8.4 器件功能模式
      1. 8.4.1 主机模式和默认模式
      2. 8.4.2 复位寄存器位
    5. 8.5 编程
      1. 8.5.1 串行接口
        1. 8.5.1.1 数据有效性
        2. 8.5.1.2 START 和 STOP 条件
        3. 8.5.1.3 字节格式
        4. 8.5.1.4 确认 (ACK) 和否定确认 (NACK)
        5. 8.5.1.5 目标地址和数据方向位
        6. 8.5.1.6 单独写入和读取
        7. 8.5.1.7 多个写入和多个读取
    6. 8.6 寄存器映射
      1. 8.6.1 寄存器编程
      2. 8.6.2 BQ25628 寄存器
  10. 9 应用和实施
    1. 9.1 应用信息
    2. 9.2 典型应用
      1. 9.2.1 设计要求
      2. 9.2.2 详细设计过程
        1. 9.2.2.1 电感器选型
        2. 9.2.2.2 输入电容器
        3. 9.2.2.3 输出电容器
      3. 9.2.3 应用曲线
  11. 10电源相关建议
  12. 11布局
    1. 11.1 布局指南
    2. 11.2 布局示例
  13. 12器件和文档支持
    1. 12.1 器件支持
      1. 12.1.1 第三方产品免责声明
    2. 12.2 文档支持
      1. 12.2.1 相关文档
    3. 12.3 接收文档更新通知
    4. 12.4 支持资源
    5. 12.5 商标
    6. 12.6 静电放电警告
    7. 12.7 术语表
  14. 13修订历史记录
  15. 14机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息
8.3.5.4.2 TS 引脚热敏电阻配置

典型的 TS 电阻器网络如下图所示。

GUID-20210126-CA0I-KR9F-MCRC-JRQL3SXT1TG7-low.svg图 8-4 TS 电阻器网络

RT1 和 RT2 的值取决于热敏电阻在 0ºC 和 60ºC 时的阻值（RTH0degC 和 RTH60degC）以及相应的电压阈值 VTS_0degC 和 VTS_60degC（以 REGN 的百分比表示，值介于 0 和 1 之间）。为了实现更精确的热敏电阻曲线拟合，请使用 VTS_COLD 在 0ºC 时的上升阈值以及 VTS_HOT 在 60ºC 时的下降阈值，不考虑 TS_TH1_TH2_TH3 和 TS_TH4_TH5_TH6 的实际寄存器设置。

方程式 1. RT2 = RTH 0degC × RTH 60degC × ( 1 V TS_0degC - 1 V TS_60degC ) RTH 60degC × ( 1 V TS_60degC - 1 ) - RTH 0degC × ( 1 V TS_0degC - 1 )
方程式 2. RT1 = 1 V TS_0degC - 1 1 R T2 + 1 RTH 0degC

假设电池包上有一个 103AT NTC 热敏电阻，RT1 的计算结果是 5.32kΩ，RT2 的计算结果是 30.1kΩ。

如果热敏电阻从 TS_BIAS 偏置，则应当对照 ITS_BIAS_FAULT 来检查最大电流。在热敏电阻处于 0Ω 阻抗的最坏情况下（非常热），偏置电流为：

方程式 3. I BIAS_MAX = V REGN RT1

当 RT1 为 5.30kΩ 时，最大 IBIAS 为 0.94mA，远低于最小 ITS_BIAS_FAULT 阈值。103AT NTC 热敏电阻是建议的热敏电阻，具有 10kΩ 标称阻抗。使用阻抗较低的热敏电阻将更改 R1 的值，并可能产生超过 TS_BIAS 引脚故障阈值的偏置电流。TS_STAT[2:0] 设置为 111。