Date Letter Revision History Changes Intro HTML* (December 2022)to RevisionA (January 2024)
- 向“充电终止范围”特性添加了“5mA 至 310mA，步长为 5mA”Go
- 添加了 IEC 62368-1 CB 认证Go
- 更改了 BQ25628/629 简化版应用Go
- 更改了“说明（续）”文本Go
- 将节 5 中 BQ25618 的 D+/D- USB 检测从“是”更改为“否”Go
- 将 QON 引脚说明中的 tRST 更改为 tQON_RST
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- 为 VPOORSRC 添加了最大限值Go
- 更新了 VTS_COLD、VTS_COLDZ、VTS_COOL、VTS_COOLZ、VTS_WARM、VTS_WARMZ、VTS_HOT 和 VTS_HOTZ更新了 VBUS_ADC、VPMID_ADC 和 TDIE_ADC删除了 tPMID_OVP_PROP 和 tPMID_OVP_FALL
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- 将 IBAT_ADC LSB 从 2mA 更改为 4mAGo
- 删除了 tVBUS_OVP_PROP、TPOORSRC_RETRY、tPOORSRC_RESTART、tVBUS_PD、tTERM_DGL、tRECHG_DGL 的典型规格Go
- 阐明了 TTOP_OFF 规格的寄存器条件Go
- 阐明了 JEITA 充电速率调节的行为Go
- 从节 8.3.7删除了当充电器进入高阻态模式时，将禁用 ADC
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- 添加了节 8.3.8.1
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- 添加了节 8.3.10
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- 将 REG0x2C_VBUS_ADC 寄存器字段说明中的 VBUS_ADC 从 19850mV 和 1388h 更改为 18000mV 和 11B6hGo
- 将 REG0x2E_VPMID_ADC 寄存器字段说明中的 VPMID_ADC 从 19850mV 和 1388h 更改为 18000mV 和 11B6hGo
- 将 REG0x36_TDIE_ADC 寄存器字段说明中的 TDIE_ADC 从 150°C 和 12Ch 更改为 140°C 和 118hGo
- 将 Q1_FULLON、BATFET_CTRL_WVBUS 位访问类型从 R 更改为 RW，将 TDIE_ADC 位访问类型从 RW 更改为 RGo
- 将 REG0x02_Charge_Current_Limit 寄存器的寄存器字段和说明中的位 11 更改为“保留”，并将“ICHG 复位”从 X 更改为 8hGo
- 将 REG0x10_Pre-charge_Control 寄存器的寄存器字段和说明中的位 8 更改为“保留”Go
- 将 REG0x12_Termination_Control 寄存器的寄存器字段和说明中的位 8 更改为“保留”Go
- 更改了图 9-3
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- 更改了图 9-4
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- 更改了图 9-11
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