ZHCSDN6 March 2015 CSD18536KCS

PRODUCTION DATA. 

  1. 1特性
  2. 2应用范围
  3. 3说明
  4. 4修订历史记录
  5. 5Specifications
    1. 5.1Electrical Characteristics
    2. 5.2Thermal Information
    3. 5.3Typical MOSFET Characteristics
  6. 6器件和文档支持
    1. 6.1商标
    2. 6.2静电放电警告
    3. 6.3术语表
  7. 7机械、封装和可订购信息
    1. 7.1KCS 封装尺寸

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

1 特性

  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 低热阻
  • 雪崩级
  • 无铅引脚镀层
  • 符合 RoHS 环保标准
  • 无卤素
  • 晶体管 (TO)-220 塑料封装

2 应用范围

  • 次级侧同步整流器
  • 电机控制

3 说明

这款 60V,1.3mΩ,TO-220 NexFET™ 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中最大限度地降低损耗。

CSD18536KCS FET_Pins.gif
CSD18536KCS TO220p2.png

产品概要

TA = 25°C 典型值单位
VDS漏源电压60V
Qg栅极电荷总量 (10V)83nC
Qgd栅极电荷(栅极到漏极)14nC
RDS(on)漏源导通电阻VGS = 4.5V1.7
VGS = 10V1.3
VGS(th)阈值电压1.8V

订购信息(1)

器件封装 介质 数量出货
CSD18536KCSTO-220 塑料封装50
  1. 要了解所有可用封装,请见数据表末尾的可订购产品附录。

最大绝对额定值

TA = 25°C 单位
VDS漏源电压60V
VGS栅源电压±20V
ID持续漏极电流(受封装限制)200 A
持续漏极电流(受芯片限制),TC = 25°C 时测得349
持续漏极电流(受芯片限制),TC = 100°C 时测得 247
IDM脉冲漏极电流 (1)400A
PD功率耗散 375W
TJ
Tstg
运行结温和
储存温度范围
-55 至 175°C
EAS雪崩能量,单一脉冲
ID=128A,L=0.1mH,RG=25Ω
819mJ
  1. 最大 RθJC = 0.4°C/W,脉冲持续时间 ≤ 100μs,占空比 ≤ 1%

RDS(on) 与 VGS 间的关系

CSD18536KCS D007_SLPS532.gif

栅极电荷

CSD18536KCS D004_SLPS532_FP.gif