UCC27712 具有 2.5A 峰值输出和稳健驱动能力的 620V 高侧/低侧栅极驱动器 | 德州仪器 TI.com.cn

UCC27712
此产品已上市,且可供购买。 可提供某些产品的较新替代品。
具有 2.5A 峰值输出和稳健驱动能力的 620V 高侧/低侧栅极驱动器

 

描述

UCC27712 是一款 620V 高侧和低侧栅极驱动器,具有 1.8A 拉电流、2.8A 灌电流能力,专用于驱动功率 MOSFET 或 IGBT。

对于 IGBT,建议的 VDD 工作电压为 10V 至 20V,对于功率 MOSFET,建议的 VDD 工作电压为 10V 至 17V。

UCC27712 包含保护 功能, 在此情况下,当输入保持开路状态时,或当未满足最低输入脉宽规范时,输出保持低位。互锁和死区时间功能可防止两个输出同时打开。此外,该器件可接受宽泛的偏置电源范围并且为 VDD 和 HB 偏置电源提供了 UVLO 保护。

该器件采用 TI 先进的高压器件技术, 具有 强大的驱动器,拥有卓越的噪声和瞬态抗扰度,包括较大的输入负电压容差、高 dV/dt 容差、开关节点上较宽的负瞬态安全工作区 (NTSOA),以及互锁。

该器件包含一个接地基准通道 (LO) 和一个悬空通道 (HO),后者专用于自举电源或隔离式电源操作。该器件 具有 快速传播延迟和两个通道之间卓越的延迟匹配。在 UCC27712 上,每个通道均由其各自的输入引脚 HI 和 LI 控制。

特性

  • 高侧和低侧配置
  • 双输入,带输出互锁和 150ns 死区时间
  • 在高达 620V 的电压下完全可正常工作,HB 引脚上的绝对最高电压为 700V
  • VDD 建议范围为 10V 至 20V
  • 峰值输出电流 2.8A 灌电流、1.8A 拉电流
  • 50V/ns 的 dv/dt 抗扰度
  • HS 引脚上的逻辑运行电压高达 –11V
  • 输入负电压容差为 –5V
  • 大型负瞬态安全工作区
  • 为两个通道提供 UVLO 保护
  • 短传播延迟(典型值 100ns)
  • 延迟匹配(典型值 12ns)
  • 设计用于自举操作的悬空通道
  • 低静态电流
  • TTL 和 CMOS 兼容输入
  • 行业标准 SOIC-8 封装
  • 所有参数额定温度范围:–40°C 至 +125°C

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参数

与其它产品相比 半桥驱动器 邮件 下载到电子表格中
Part number 立即下单 Number of channels (#) Power switch Bus voltage (Max) (V) Peak output current (A) Input VCC (Min) (V) Input VCC (Max) (V) Rise time (ns) Fall time (ns) Prop delay (ns) Iq (uA) Input threshold Channel input logic Negative voltage handling at HS pin (V) Features Rating Operating temperature range (C) Package Group
UCC27712 立即下单 2     MOSFET
IGBT    
620     2.8     10     20     16     10     100     250     TTL
CMOS    
Non-Inverting     -11     Interlock     Catalog     -40 to 125     SOIC | 8    
UCC27710 立即下单 2     MOSFET
IGBT    
620     1.0     10     22     35     16     100     250     TTL
CMOS    
Non-Inverting     -11     Interlock     Catalog     -40 to 125     SOIC | 8    
UCC27714 立即下单 2     MOSFET
IGBT    
600     4     10     18     15     15     90     300     TTL
CMOS    
Non-Inverting     -8         Catalog     -40 to 125     SOIC | 14