ZHCSGQ9 September 2017 CSD87503Q3E

PRODUCTION DATA. 

  1. 1特性
  2. 2应用
  3. 3说明
    1. 顶视图    
    2. 电路图像   
    3. RDD(on)与 VGS 之间的关系
  4. 4修订历史记录
  5. 5 Specifications
    1. 5.1Electrical Characteristics
    2. 5.2Thermal Information
    3. 5.3Typical MOSFET Characteristics
  6. 6器件和文档支持
    1. 6.1接收文档更新通知
    2. 6.2社区资源
    3. 6.3商标
    4. 6.4静电放电警告
    5. 6.5Glossary
  7. 7机械、封装和可订购信息
    1. 7.1Q3 封装尺寸
    2. 7.2建议 PCB 布局
    3. 7.3建议模板开口

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
  • DTD|8
订购信息

特性

  • 双 N 沟道共源极 MOSFET
  • 针对 5V 栅极驱动器进行了优化
  • 低热阻
  • 低 Qg 和 Qgd
  • 无铅引脚镀层
  • 符合 RoHS 标准
  • 无卤素
  • 小外形尺寸无引线 (SON) 3.3mm × 3.3mm 塑料封装