ZHCSGQ9 September   2017 CSD87503Q3E

PRODUCTION DATA.  

  1. 1特性
  2. 2应用
  3. 3说明
    1.     顶视图
    2.     电路图像
    3.     RDD(on) 与 VGS 之间的关系
  4. 4修订历史记录
  5. 5 Specifications
    1. 5.1 Electrical Characteristics
    2. 5.2 Thermal Information
    3. 5.3 Typical MOSFET Characteristics
  6. 6器件和文档支持
    1. 6.1 接收文档更新通知
    2. 6.2 社区资源
    3. 6.3 商标
    4. 6.4 静电放电警告
    5. 6.5 Glossary
  7. 7机械、封装和可订购信息
    1. 7.1 Q3 封装尺寸
    2. 7.2 建议 PCB 布局
    3. 7.3 建议模板开口

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

3 说明

CSD87503Q3E 是一款 30V、13.5mΩ、共源极、双路 N 沟道器件，专为 USB Type-C/PD 和电池保护而设计。此 3.3 × 3.3mm SON 器件具有低漏极至漏极导通电阻，可最大限度地较少损耗，且具有较少的组件数量，适用于空间受限的 应用。

顶视图

CSD87503Q3E TopView.gif

电路图像

CSD87503Q3E Dev_Schem.gif

产品概要

TA = 25°C值单位
VDS 漏源电压 30 V
Qg 总栅极电荷 (4.5V) 13.4 nC
Qgd 栅极电荷（栅极到漏极） 5.8 nC
RDD(on) 漏极到漏极导通电阻 VGS = 4.5V 17.3 mΩ
VGS = 10V 13.5
VGS(th) 阈值电压 1.7 V

器件信息(1)

器件数量包装介质封装发货
CSD87503Q3E 2500 13 英寸卷带 SON
3.30mm × 3.30mm
塑料封装		 卷带封装
CSD87503Q3ET 250 7 英寸卷带
  1. 如需了解所有可用封装，请参阅产品说明书末尾的可订购产品附录。

绝对最大额定值

TA = 25°C值单位
VDS 漏源电压 30 V
VGS 栅源电压 ±20 V
ID1, D2 持续漏极到漏极电流（受封装限制） 10 A
IDS 持续漏极到源极电流（受封装限制） 1.5 A
ID1, D2M 脉冲漏极到漏极电流(1) 89 A
PD 功率耗散(2) 2.6 W
PD 功耗，TC = 25°C 15.6 W
TJ、
Tstg		 工作结温、
储存温度		 –55 至 150 °C
  1. 最大 RθJC = 8°C/W，脉冲持续时间 ≤ 100μs，占空比 ≤ 1%。
  2. 典型 RθJA = 50°C/W（当在 0.06 英寸 (1.52mm) 厚的 FR4 PCB 上将其安装在 1 平方英寸 (6.45cm2) 2oz (0.071mm) 厚的铜焊盘上时）。

RDD(on) 与 VGS 之间的关系

CSD87503Q3E D007_SLPS661.gif