如果没有提高良率与降低缺陷方面的发展，那么过去 30 年间 IC 制造的巨大进步也是不可能实现的。德州仪器 (TI) 在良率工程方面一直是业界的先行者。我们不断在工艺上实现改进，并通过参与行业协会介绍相关领域的知识。

我们从开发的最初阶段就致力于研究提高良率的方法，在工艺的整个寿命周期内始终进行分析，并将这些分析成果广泛应用于全球范围的制造厂与厂商。这样，我们就使制造投资得到更高的回报，并能更全面地了解制造工艺。最重要的一点是，这方面的努力可帮助我们向客户推出更好的产品。

当前 IC 工艺的许多方面都造成产生误差的机会不断增多。设计布局采用各种不同的模式调整算法，这要求我们在技术开发的早期阶段就进行战略意义上的缺陷监控。铜大马士革金属化 (copper Damascene metallization) 和低 K 电介质等新材料在检测凹坑缺陷、去除保护层和聚合物、研磨与退火、胶膜附着、线宽变异、应力裂纹等方面带来了挑战。随着我们转而采用有机硅酸盐玻璃 (OSG) 等先进的低 K 材料，上述许多问题都变得更为突出。

在 TI，我们积极应对上述挑战，努力使新工艺实现盈利。我们在缺陷确认、诊断加工、数据分析能力和良率影响预测等方面取得的进步使我们的晶圆制造厂具有更高水平的预防和工艺改进。随着变革速度的加快，信息的收集和分析对更快地提高良率和更高的产值变得越发重要。我们正在开发先进的缺陷管理软件，为良率工程师提供更多的帮助。