多年来，德州仪器 (TI) 对半导体可靠性领域的贡献十分突出。我们一直因拥有最优秀员工的而闻名世界。因此维持并提高产品可靠性正是我们在 TI 最主要的任务。

在使用新工艺建立测试结构的同时可靠性工程立刻开始，并将持续至工艺流程完全终止。我们从对用于工艺中的基础物理材料和组件的评估开始。然后设计出业内最完善的可靠性模型。这些模型通过将所有的工艺复杂性和必要的工作环境考虑在内，帮我们确保了设计的可靠性，从而满足了客户的要求。

TI 可靠性工程师必须检阅的关键因素有：互连金属中的原子迁移、门和低 K 薄膜的绝缘击穿时间、生产通道热载流的门的电流注入，以及由于热量中止导电的负偏压温度失稳性。

建模基础物理器件提醒我们注意：在处理修改的同时必须将影响降到最小并延伸产品的使用寿命。由于较小型设计规则的出现，制作新型 65nm 和更小 CMOS 的工艺越来越复杂，甚至模型成为我们产品成功与否最重要的一环，因此生产有效的可靠性模型的难度挑战持续加大。

可靠性建模和工艺控制的效力通过 TI 的精细品质方法进行检验，这一方法与市场和业务需要息息相关。统计质量控制让我们把缺陷降至最低，而从裕度到规格的分析使我们能够保持流程分布的紧凑。最终，质量和可靠性控制会反映在品质因数 (FOM) 中，它是一种复合测量方法，随时间反映晶体管性能提升的所有方面。持续增长的 FOM 正说明了我们是如何不断提升流程工艺的。