要获得良好的布局，首先需要确定以下关键元件：

• 高 di/dt 环路或热环路。
• 高 dv/dt 节点。
• 敏感布线。

图 2-1 确定高 di/dt 环路、高 dv/dt 节点和敏感布线

图 2-1 展示了 LM5177 转换器控制器中的高 di/dt 路径。最主要的高 di/dt 环路是输入开关电流环路和输出开关电流环路。输入环路由输入电容器 (CIN) 和 MOSFET（Q1 和 Q2）组成。输出环路由输出电容器 (COUT) 和 MOSFET（Q3 和 Q4）及其返回路径组成。

高 dv/dt 节点是那些具有快速电压转换的节点。这些节点包括开关节点（SW1 和 SW2）、启动节点（HB1 和 HB2）和栅极驱动布线（HO1、LO1、HO2 和 LO2）。开关节点 SW1 和 SW2 的面积需要尽可能小。如果 SW1 和 SW2 覆铜区较大，高 dv/dt 噪声信号可能会通过电容耦合特性耦合到附近的其他布线，从而引起电磁干扰问题。

从电阻器 R_S 到集成电路 (IC) 引脚（CSA 和 CSB）的电流检测迹线、输入或输出检测迹线（ISNSP、ISNSN 和 FB）和控制组件（SLOPE、R_COMP、C_COMP 和 C_HF）为噪声敏感布线。

为了获得良好的布局性能，应优化高 dv/dt 节点的表面积，使噪声敏感布线远离电路的嘈杂（高 di/dt 和高 dv/dt）部分，并尽可能减小其环路面积。