ZHCABL1A December   2020  – January 2022 TAS2563

 

  1.   摘要
  2.   商标
  3. 1布局指南
    1. 1.1  典型应用电路
    2. 1.2  VBAT
    3. 1.3  DREG
    4. 1.4  GREG
    5. 1.5  PVDD 和 VBST
    6. 1.6  VDD
    7. 1.7  IOVDD
    8. 1.8  输出引脚
    9. 1.9  感测引脚
    10. 1.10 数字部分
    11. 1.11 接地平面
  4. 2原理图
    1. 2.1 推荐的外部组件
  5. 3去耦电容器
  6. 4修订历史记录

推荐的外部组件

组件 说明 技术规范 最小值 典型值 最大值 单位

C43、C44

VBAT 去耦电容器 — VBAT 引脚

类型

X7R

电容,容差为 20%

10、0.1

μF

额定电压

10

V

C47,C48

VBAT 去耦电容器 — 升压电感器

类型

X7R

电容,容差为 20%

10、0.1 μF

额定电压

10

V

C61、C72

PVDD 去耦电容器

类型

X7R

电容,容差为 20%

10

μF

额定电压

35

V

C49,C50

VDD 去耦电容器

类型

X7R

电容,容差为 20%

4.7

μF

额定电压

6

V

C55

DREG 去耦电容器

类型

X7R

电容,容差为 20%

0.68

1

1.5

μF

额定电压

6

V

C51、C52

IOVDD 去耦电容器

类型

X7R

电容,容差为 20%

1

μF

额定电压

6

V

C60

GREG 去耦电容器

类型

X7R
电容,容差为 20%

0.1

uF

额定电压

10

V

如果需要用到 EMI 滤波器,请用这些电感器替换 R18 和 R19

EMI 滤波电感器(可选)。不建议使用,因为会使 THD+N 性能降低。该器件为无滤波 D 类器件,无需这些磁珠电感器。

100MHz 时的阻抗

120

Ω

直流电阻

0.095

Ω

直流电流

5

A

C53、C54

EMI 滤波电容器(可选,如果使用 C37、C49、C106、C115,则必须使用 EMI 电感器)

电容

1

nF