ZHCA829G October   2014  – August 2021 MSP430F2001 , MSP430F2002 , MSP430F2003 , MSP430F2011 , MSP430F2012 , MSP430F2013 , MSP430F2013-EP , MSP430F2101 , MSP430F2111 , MSP430F2112 , MSP430F2121 , MSP430F2122 , MSP430F2131 , MSP430F2132 , MSP430F2232 , MSP430F2234 , MSP430F2252 , MSP430F2254 , MSP430F2272 , MSP430F2274 , MSP430F2274-EP , MSP430F233 , MSP430F2330 , MSP430F235 , MSP430F2350 , MSP430F2370 , MSP430F2410 , MSP430F2416 , MSP430F2417 , MSP430F2418 , MSP430F2419 , MSP430F247 , MSP430F2471 , MSP430F248 , MSP430F2481 , MSP430F249 , MSP430F249-EP , MSP430F2491 , MSP430F2616 , MSP430F2617 , MSP430F2618 , MSP430F2619 , MSP430F2619S-HT , MSP430FR2032 , MSP430FR2033 , MSP430FR2110 , MSP430FR2111 , MSP430FR2153 , MSP430FR2155 , MSP430FR2310 , MSP430FR2311 , MSP430FR2353 , MSP430FR2355 , MSP430FR2433 , MSP430FR2475 , MSP430FR2476 , MSP430FR2532 , MSP430FR2533 , MSP430FR2632 , MSP430FR2633 , MSP430FR2672 , MSP430FR2673 , MSP430FR2675 , MSP430FR2676 , MSP430FR4131 , MSP430FR4132 , MSP430FR4133 , MSP430G2001 , MSP430G2101 , MSP430G2102 , MSP430G2111 , MSP430G2112 , MSP430G2121 , MSP430G2131 , MSP430G2132 , MSP430G2152 , MSP430G2153 , MSP430G2201 , MSP430G2202 , MSP430G2203 , MSP430G2210 , MSP430G2211 , MSP430G2212 , MSP430G2213 , MSP430G2221 , MSP430G2230 , MSP430G2230-EP , MSP430G2231 , MSP430G2231-EP , MSP430G2232 , MSP430G2233 , MSP430G2252 , MSP430G2253 , MSP430G2302 , MSP430G2302-EP , MSP430G2303 , MSP430G2312 , MSP430G2313 , MSP430G2332 , MSP430G2332-EP , MSP430G2333 , MSP430G2352 , MSP430G2353 , MSP430G2402 , MSP430G2403 , MSP430G2412 , MSP430G2413 , MSP430G2432 , MSP430G2433 , MSP430G2444 , MSP430G2452 , MSP430G2453 , MSP430G2513 , MSP430G2533 , MSP430G2544 , MSP430G2553 , MSP430G2744 , MSP430G2755 , MSP430G2855 , MSP430G2955 , MSP430I2020 , MSP430I2021 , MSP430I2030 , MSP430I2031 , MSP430I2040 , MSP430I2041

 

  1.   商标
  2. 1 引言
  3. 2 MSP430FR4xx 和 MSP430FR2xx 器件的比较
  4. 3 非易失性存储器的系统内编程
    1. 3.1 铁电 RAM (FRAM) 概述
    2. 3.2 FRAM 单元
    3. 3.3 使用存储器写保护位来保护 FRAM
    4. 3.4 FRAM 存储器等待状态
    5. 3.5 引导加载程序 (BSL)
    6. 3.6 JTAG 和安全性
    7. 3.7 生产编程
  5. 4 硬件迁移注意事项
  6. 5 器件校准信息
  7. 6 重要器件规格
  8. 7 内核架构注意事项
    1. 7.1 电源管理模块 (PMM)
      1. 7.1.1 内核 LDO 和 LPM3.5 LDO
      2. 7.1.2 SVS
      3. 7.1.3 VREF
      4. 7.1.4 在低功耗模式下调试
    2. 7.2 时钟系统
      1. 7.2.1 DCO 频率
      2. 7.2.2 FLL、REFO 和 DCO 抽头
      3. 7.2.3 16MHz 的 FRAM 访问、ADC 时钟和按需时钟
    3. 7.3 工作模式、唤醒时间和复位
      1. 7.3.1 LPMx.5
      2. 7.3.2 复位
        1. 7.3.2.1 POR 和 BOR 行为
        2. 7.3.2.2 生成复位
        3. 7.3.2.3 确定复位原因
    4. 7.4 中断矢量
    5. 7.5 FRAM 和 FRAM 控制器
      1. 7.5.1 闪存和 FRAM 概况比较
      2. 7.5.2 缓存架构
  9. 8 外设注意事项
    1. 8.1  看门狗计时器
    2. 8.2  端口
      1. 8.2.1 数字输入/输出
      2. 8.2.2 电容式触控 I/O
    3. 8.3  模数转换器
      1. 8.3.1 比较 ADC10 与 ADC
    4. 8.4  通信模块
      1. 8.4.1 比较 USI 与 eUSCI
      2. 8.4.2 比较 USCI 与 eUSCI
    5. 8.5  计时器和红外调制逻辑
    6. 8.6  备用存储器
    7. 8.7  硬件乘法器 (MPY32)
    8. 8.8  RTC 计数器
    9. 8.9  中断比较控制器 (ICC)
    10. 8.10 LCD
    11. 8.11 智能模拟组合 (SAC)
    12. 8.12 比较器
  10. 9 ROM 库
  11. 10结论
  12. 11参考文献
  13. 12修订历史记录

5 器件校准信息

一些 F2xx 器件采用 TLV 结构为 DCO 频率、ADC 基准和内部温度传感器提供校准值。TLV 结构存储在信息存储器段 A (Info A) 中，并且可由用户进行擦除。如果所提供的 BSL 密码不正确，则在器件发生批量擦除期间也会擦除经过工厂校准的常量。

为防止出现这种情况，FR4xx 器件上的 TLV 信息存储在受保护的 FRAM 区域中，不能通过意外的写操作擦除。有关 TLV 位置和访问方式的详细信息，请参阅器件特定数据表。

注：

另一个 1800h 至 19FFh 的信息存储器区域可供 FR4xx 器件上的应用使用（MSP430FR231x 和 MSP430FR211x 器件除外），其写保护位为 SYSCFG0.DFWP（请参阅Topic Link Label3.3）。

TLV 结构包含的校准值可用于提高各种功能的测量精度。在器件特定数据表的 TLV 结构中给出了该器件可用的校准值。FR4xx 数据表提供了 ADC 失调电压和增益校准数据，以及温度传感器校准数据。

更多有关如何使用 FR4xx 器件中 TLV 的信息，请参阅《MSP430FR4xx 和 MSP430FR2xx 系列用户指南》中的器件描述符部分。