ZHCA829G October   2014  – August 2021 MSP430F2001 , MSP430F2002 , MSP430F2003 , MSP430F2011 , MSP430F2012 , MSP430F2013 , MSP430F2013-EP , MSP430F2101 , MSP430F2111 , MSP430F2112 , MSP430F2121 , MSP430F2122 , MSP430F2131 , MSP430F2132 , MSP430F2232 , MSP430F2234 , MSP430F2252 , MSP430F2254 , MSP430F2272 , MSP430F2274 , MSP430F2274-EP , MSP430F233 , MSP430F2330 , MSP430F235 , MSP430F2350 , MSP430F2370 , MSP430F2410 , MSP430F2416 , MSP430F2417 , MSP430F2418 , MSP430F2419 , MSP430F247 , MSP430F2471 , MSP430F248 , MSP430F2481 , MSP430F249 , MSP430F249-EP , MSP430F2491 , MSP430F2616 , MSP430F2617 , MSP430F2618 , MSP430F2619 , MSP430F2619S-HT , MSP430FR2032 , MSP430FR2033 , MSP430FR2110 , MSP430FR2111 , MSP430FR2153 , MSP430FR2155 , MSP430FR2310 , MSP430FR2311 , MSP430FR2353 , MSP430FR2355 , MSP430FR2433 , MSP430FR2475 , MSP430FR2476 , MSP430FR2532 , MSP430FR2533 , MSP430FR2632 , MSP430FR2633 , MSP430FR2672 , MSP430FR2673 , MSP430FR2675 , MSP430FR2676 , MSP430FR4131 , MSP430FR4132 , MSP430FR4133 , MSP430G2001 , MSP430G2101 , MSP430G2102 , MSP430G2111 , MSP430G2112 , MSP430G2121 , MSP430G2131 , MSP430G2132 , MSP430G2152 , MSP430G2153 , MSP430G2201 , MSP430G2202 , MSP430G2203 , MSP430G2210 , MSP430G2211 , MSP430G2212 , MSP430G2213 , MSP430G2221 , MSP430G2230 , MSP430G2230-EP , MSP430G2231 , MSP430G2231-EP , MSP430G2232 , MSP430G2233 , MSP430G2252 , MSP430G2253 , MSP430G2302 , MSP430G2302-EP , MSP430G2303 , MSP430G2312 , MSP430G2313 , MSP430G2332 , MSP430G2332-EP , MSP430G2333 , MSP430G2352 , MSP430G2353 , MSP430G2402 , MSP430G2403 , MSP430G2412 , MSP430G2413 , MSP430G2432 , MSP430G2433 , MSP430G2444 , MSP430G2452 , MSP430G2453 , MSP430G2513 , MSP430G2533 , MSP430G2544 , MSP430G2553 , MSP430G2744 , MSP430G2755 , MSP430G2855 , MSP430G2955 , MSP430I2020 , MSP430I2021 , MSP430I2030 , MSP430I2031 , MSP430I2040 , MSP430I2041

 

  1.   商标
  2. 1 引言
  3. 2 MSP430FR4xx 和 MSP430FR2xx 器件的比较
  4. 3 非易失性存储器的系统内编程
    1. 3.1 铁电 RAM (FRAM) 概述
    2. 3.2 FRAM 单元
    3. 3.3 使用存储器写保护位来保护 FRAM
    4. 3.4 FRAM 存储器等待状态
    5. 3.5 引导加载程序 (BSL)
    6. 3.6 JTAG 和安全性
    7. 3.7 生产编程
  5. 4 硬件迁移注意事项
  6. 5 器件校准信息
  7. 6 重要器件规格
  8. 7 内核架构注意事项
    1. 7.1 电源管理模块 (PMM)
      1. 7.1.1 内核 LDO 和 LPM3.5 LDO
      2. 7.1.2 SVS
      3. 7.1.3 VREF
      4. 7.1.4 在低功耗模式下调试
    2. 7.2 时钟系统
      1. 7.2.1 DCO 频率
      2. 7.2.2 FLL、REFO 和 DCO 抽头
      3. 7.2.3 16MHz 的 FRAM 访问、ADC 时钟和按需时钟
    3. 7.3 工作模式、唤醒时间和复位
      1. 7.3.1 LPMx.5
      2. 7.3.2 复位
        1. 7.3.2.1 POR 和 BOR 行为
        2. 7.3.2.2 生成复位
        3. 7.3.2.3 确定复位原因
    4. 7.4 中断矢量
    5. 7.5 FRAM 和 FRAM 控制器
      1. 7.5.1 闪存和 FRAM 概况比较
      2. 7.5.2 缓存架构
  9. 8 外设注意事项
    1. 8.1  看门狗计时器
    2. 8.2  端口
      1. 8.2.1 数字输入/输出
      2. 8.2.2 电容式触控 I/O
    3. 8.3  模数转换器
      1. 8.3.1 比较 ADC10 与 ADC
    4. 8.4  通信模块
      1. 8.4.1 比较 USI 与 eUSCI
      2. 8.4.2 比较 USCI 与 eUSCI
    5. 8.5  计时器和红外调制逻辑
    6. 8.6  备用存储器
    7. 8.7  硬件乘法器 (MPY32)
    8. 8.8  RTC 计数器
    9. 8.9  中断比较控制器 (ICC)
    10. 8.10 LCD
    11. 8.11 智能模拟组合 (SAC)
    12. 8.12 比较器
  10. 9 ROM 库
  11. 10结论
  12. 11参考文献
  13. 12修订历史记录

3.2 FRAM 单元

单个 FRAM 单元可被视为一个偶极电容器，它由两个电极板之间的铁电材料（铁电晶振）薄膜构成。存储“1”或“0”时（写入 FRAM 时），只需使用电场将晶振向特定方向极化。这使得 FRAM 速度非常快，易于写入，能够充分满足高耐用性要求。

与写入时类似，从 FRAM 中读取也需要在电容器上施加一个电场。根据晶振的状态，可将其重新极化，从而释放出一个大感应电荷。这个电荷随即与一个已知基准进行对比，从而估计晶振所处的状态。存储的数据位“1”或“0”从感应电荷推断得出。在读取数据的过程中，按施加的电场方向极化的晶振会失去当前的状态。因此每次读取后，都必须进行回写操作以恢复存储位置的状态。对于 TI 的 MSP430 FRAM MCU，这是 FRAM 实施方案所固有的特性，对应用而言是完全透明的。回写机制还可防止断电，并在所有断电事件中安全完成。

FR4xx 电源管理系统通过在断电时将 FRAM 电源轨与器件电源轨隔离开来实现这一目的。FRAM 电源电路还使用内置低压降稳压器 (LDO) 和一个电容器，该电容器存储足够的电荷以在发生电源故障时完成当前回写操作。

更多有关 FRAM 和 FRAM 控制器的信息，请参阅Topic Link Label7.5。