2 其他封装

肖特基二极管封装 (D1) 可与低侧 MOSFET 并联。由于正向压降比在防击穿期间导通的低侧 MOSFET 体二极管低，此元件可提高效率。请选择能够在最大负载电流下将正向压降保持在 0.4V 至 0.6V 的肖特基二极管（请查阅 I-V 曲线）。此外，请选择在最大输入电压基础上具有足够裕量的反向击穿电压。

C13 封装适合尽可能靠近低侧 MOSFET 源极和高侧 MOSFET 漏极连接的多层陶瓷电容器 (MLCC)。这会向高速开关电流提供低电源阻抗，从而最大限度地减少输入电源噪声。例如：将 MLCC (C13) 与铝电解输入滤波电容器组合使用 ，放置在指示符 C12 和 C14 处，因为 MLCC 的阻抗比电解质低。如果在指示符 C12 和 C14 处使用了 MLCC，则元件 C13 不是必需的。

该 PCB 采用两层设计，在 62mil FR4 层压板上具有 1oz 覆铜。