ZHCSSI7B September 2023 – March 2024 TPSM861252 , TPSM861253 , TPSM861257
PRODUCTION DATA
参数 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | |
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输入电源电压 | ||||||
VIN | 输入电压范围 | VIN | 3 | 17 | V | |
IVIN | VIN 电源电流 | 无负载,VEN = 5V,非开关,ECO 版本 | 100 | µA | ||
IVIN | VIN 电源电流 | 无负载,VEN = 5V,非开关,FCCM 版本 | 370 | µA | ||
IINSDN | VIN 关断电流 | 无负载,VEN = 0V | 2 | µA | ||
UVLO | ||||||
UVLO | VIN 欠压锁定 | 唤醒 VIN 电压 | 2.8 | 2.9 | 3.0 | V |
UVLO | VIN 欠压锁定 | 关断 VIN 电压 | 2.6 | 2.7 | 2.8 | V |
UVLO | VIN 欠压锁定 | 迟滞 VIN 电压 | 200 | mV | ||
反馈电压 | ||||||
VFB | FB 电压 | TJ = 25°C | 594 | 600 | 606 | mV |
VFB | FB 电压 | TJ = -40°C 至 125°C | 591 | 600 | 609 | mV |
VOUT | TPSM861253 输出电压 | TJ = 0°C 至 65°C | 3.27 | 3.3 | 3.33 | V |
VOUT | TPSM861253 输出电压 | TJ = -40°C 至 125°C | 3.25 | 3.3 | 3.35 | V |
MOSFET | ||||||
RDS (ON)HI | 高侧 MOSFET Rds(on) | TJ = 25°C,VVIN ≥ 5V | 55 | mΩ | ||
TJ = 25°C,VVIN = 3V (1) | 68 | mΩ | ||||
RDS (ON)LO | 低侧 MOSFET Rds(on) | TJ = 25°C,VVIN ≥ 5V | 24 | mΩ | ||
TJ = 25°C,VVIN = 3V (1) | 30 | mΩ | ||||
占空比和频率控制 | ||||||
FSW | 开关频率 | TJ = 25°C,VVOUT = 3.3V | 1.4 | MHz | ||
TOFF(MIN)(1) | 最短关断时间 | VFB = 0.5V | 110 | ns | ||
TON(MIN) | 最短导通时间 | 60 | ns | |||
电流限值 | ||||||
IOCL_LS | 过流阈值 | TPSM861252 和 TPSM861257 的谷值电流设定点 | 1.5 | 2.3 | 3.1 | A |
IOCL_LS | 过流阈值 | TPSM861253 的谷值电流设定点 | 1.5 | 2.3 | 2.9 | A |
INOCL | 负过流阈值 | 谷值电流设定点 | 1.5 | 2.0 | 2.5 | A |
逻辑阈值 | ||||||
VEN(ON) | EN 阈值高电平 | 1.15 | 1.20 | 1.25 | V | |
VEN(OFF) | EN 阈值低电平 | 0.90 | 1.00 | 1.10 | V | |
VENHYS | EN 迟滞 | 200 | mV | |||
REN1 | EN 下拉电阻器 | 2 | MΩ | |||
输出放电和软启动 | ||||||
tSS | 内部软启动时间 | 1.6 | ms | |||
输出欠压和过压保护 | ||||||
VOVP | OVP 跳变阈值 | 110 | 115 | 120 | % | |
tOVPDLY | OVP 传播抗尖峰脉冲 | 24 | us | |||
VUVP | UVP 跳变阈值 | 55 | 60 | 65 | % | |
tUVPDLY | UVP 传播抗尖峰脉冲 | 220 | us | |||
tUVPEN | 相对于 SS 时间的 输出断续使能延迟 |
UVP 检测 | 14 | ms | ||
PGOOD | ||||||
TPGDLY | PG 启动延迟 | PG 从低到高 | 1 | ms | ||
TPGDLY | PG 启动延迟 | PG 从高电平到低电平 | 28 | us | ||
VPGTH | PG 阈值 | VFB 下降(故障) | 80 | 85 | 90 | % |
VPGTH | PG 阈值 | VFB 上升(正常) | 85 | 90 | 95 | % |
VPGTH | PG 阈值 | VFB 上升(故障) | 110 | 115 | 120 | % |
VPGTH | PG 阈值 | VFB 下降(正常) | 105 | 110 | 115 | % |
VPG_L | PG 灌电流能力 | IOL = 4mA | 0.4 | V | ||
IPGLK | PG 漏电流 | VPgood = 5.5V | 1 | uA | ||
过热保护 | ||||||
TOTP(1) | OTP 跳变阈值 | 155 | °C | |||
TOTPHSY(1) | OTP 迟滞 | 20 | °C |