ZHCSGU9C June   2017  – November 2018 TPS2373

PRODUCTION DATA.  

  1. 特性
  2. 应用
  3. 说明
    1.     Device Images
      1.      简化原理图
  4. 修订历史记录
  5. 引脚配置和功能
    1.     引脚功能
  6. 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 额定值
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 典型特性
  7. 详细 说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能框图
    3. 7.3 特性 说明
      1. 7.3.1  APD 辅助电源检测
      2. 7.3.2  PG 电源正常(转换器使能)引脚接口
      3. 7.3.3  CLSA 和 CLSB 分类
      4. 7.3.4  DEN 检测和使能
      5. 7.3.5  内部导通 MOSFET
      6. 7.3.6  TPH、TPL 和 BT PSE 类型指标
      7. 7.3.7  VC_IN、VC_OUT、UVLO_SEL 和高级 PWM 启动
      8. 7.3.8  AMPS_CTL、MPS_DUTY 和自动 MPS
      9. 7.3.9  VDD 电源电压
      10. 7.3.10 VSS
      11. 7.3.11 外露散热焊盘
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1  PoE 概述
      2. 7.4.2  阈值电压
      3. 7.4.3  PoE 启动顺序
      4. 7.4.4  检测
      5. 7.4.5  硬件分类
      6. 7.4.6  浪涌和启动
      7. 7.4.7  维持功率特征
      8. 7.4.8  高级启动和转换器运行
      9. 7.4.9  PD 热插拔运行
      10. 7.4.10 启动和电源管理,PG、TPH、TPL、BT
      11. 7.4.11 适配器 ORing
      12. 7.4.12 使用 DEN 禁用 PoE
      13. 7.4.13 ORing 挑战
  8. 应用和实现
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 详细设计要求
        1. 8.2.2.1  输入电桥和肖特基二极管
        2. 8.2.2.2  保护器件,D1
        3. 8.2.2.3  电容,C1
        4. 8.2.2.4  检测电阻,RDEN
        5. 8.2.2.5  分类电阻,RCLSA 和 RCLSB
        6. 8.2.2.6  APD 引脚分压器网络 RAPD1、RAPD2
        7. 8.2.2.7  用于 TPH、TPL 和 BT 的光隔离器
        8. 8.2.2.8  VC 输入和输出,CVCIN 和 CVCOUT
        9. 8.2.2.9  UVLO 选择,UVLO_SEL
        10. 8.2.2.10 自动 MPS 和 MPS 占空比,RMPS 和 RMPS_DUTY
        11. 8.2.2.11 内部电压基准,RREF
      3. 8.2.3 应用曲线
  9. 电源建议
  10. 10布局
    1. 10.1 布局指南
    2. 10.2 布局示例
    3. 10.3 EMI 遏制
    4. 10.4 散热注意事项和 OTSD
    5. 10.5 ESD
  11. 11器件和文档支持
    1. 11.1 文档支持
      1. 11.1.1 相关文档
    2. 11.2 接收文档更新通知
    3. 11.3 社区资源
    4. 11.4 商标
    5. 11.5 静电放电警告
    6. 11.6 术语表
  12. 12机械、封装和可订购信息

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • RGW|20
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

输入电桥和肖特基二极管

对于 PoE 输入电桥,使用肖特基二极管代替 PN 结二极管将使这些器件的功耗降低约 30%。但是,使用它们时有一些注意事项。IEEE 标准规定了最大反馈电压为 2.8V;在未供电的线对之间放置一个 100kΩ 的电阻,然后在该电阻两端测出电压。肖特基二极管通常比 PN 二极管具有更高的反向泄漏电流,使得这一要求更难以满足。为了补偿这一问题,应在二极管工作温度方面使用保守的设计,尽可能选择漏电较低的器件,并用经过封装的电桥使漏电与温度匹配。

肖特基二极管泄漏电流和较低的动态电阻会影响检测特征。对获得精确检测特征的温度范围设定合理的期望值是最简单的解决方案。稍微增大 RDET 也可能有助于满足该要求。

经验证,肖特基二极管应对 ESD 瞬态的能力弱于 PN 结二极管。暴露于 ESD 后,肖特基二极管可能会短路或泄漏。请注意根据暴露水平提供适当的保护。这种保护方法可能简单到只需使用铁氧体磁珠和电容器。

一般情况下建议对输入整流器使用具有 3A 至 5A、100V 额定值的分立式或桥式二极管。

许多高功率 PoE PD 设计会要求在高效率 应用中使用有源 FET 桥式整流器。如需查看有源 FET 桥式整流器设计的示例,请参阅 TPS2373-4EVM-758 用户指南。