ZHCSRU4F November   2006  – March 2023 SN65HVD3080E , SN65HVD3083E , SN65HVD3086E

PRODUCTION DATA  

  1. 1 特性
  2. 2 应用
  3. 3 说明
  4. 4 Revision History
  5. 5 Specifications
    1. 5.1  Absolute Maximum Ratings
    2. 5.2  Power Dissipation Ratings
    3. 5.3  Electrostatic Discharge Protection
    4. 5.4  Supply Current
    5. 5.5  Recommended Operating Conditions
    6. 5.6  Thermal Information
    7. 5.7  Driver Electrical Characteristics
    8. 5.8  Driver Switching Characteristics
    9. 5.9  Receiver Electrical Characteristics
    10. 5.10 Receiver Switching Characteristics
    11. 5.11 Typical Characteristics
  6. 6 Parameter Measurement Information
  7. 7 Device Information
    1. 7.1 Function Tables
    2. 7.2 Equivalent Input and Output Schematic Diagrams
  8. 8 Application Information
    1. 8.1 Hot-Plugging
  9. 9 Device and Documentation Support
    1. 9.1 接收文档更新通知
    2. 9.2 支持资源
    3. 9.3 商标
    4. 9.4 静电放电警告
    5. 9.5 术语表
  10. 10Mechanical, Packaging, and Orderable Information

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

9.4 静电放电警告

GUID-D6F43A01-4379-4BA1-8019-E75693455CED-low.gif 静电放电 (ESD) 会损坏这个集成电路。德州仪器 (TI) 建议通过适当的预防措施处理所有集成电路。如果不遵守正确的处理和安装程序，可能会损坏集成电路。
ESD 的损坏小至导致微小的性能降级，大至整个器件故障。精密的集成电路可能更容易受到损坏，这是因为非常细微的参数更改都可能会导致器件与其发布的规格不相符。