ZHCSU60A May 2023 – January 2024 PCMD3180-Q1
PRODUCTION DATA
PCMD3180-Q1 通过在内部生成低噪声基准电压来实现低噪声性能。该基准电压是使用具有高 PSRR 性能的带隙电路生成的,必须使用连接在 VREF 引脚和模拟地 (AVSS) 之间的 1µF 电容器进行外部滤波。
可以使用 P0_R59_D[1:0] 寄存器位配置该基准电压的值,并且必须根据系统中可用的 AVDD 电源电压将其设置为适当的值。默认 VREF 值被设置为 2.75V,这要求该模式需要的最小 AVDD 电压为 3V。表 6-8 列出了支持的各种 VREF 设置以及该配置所需的 AVDD 范围。
P0_R59_D[1:0]:VREF_SEL[1:0] | VREF 输出电压 | AVDD 范围要求 |
---|---|---|
00(默认值) | 2.75 V | 3V 至 3.6V |
01 | 2.5V | 2.8 V 至 3.6 V |
10 | 1.375 V | 1.7 V 至 1.9 V |
11 | 保留 | 保留 |
为了实现低功耗,该音频基准块会按节 6.4.2 中所述断电。退出睡眠模式时,音频基准模块使用内部快速充电方案上电,而 VREF 引脚在稳定时间(与 VREF 引脚上的去耦电容器有关)后稳定到其稳态电压。使用 1μF 去耦电容器时,该时间大约等于 3.5ms。如果在 VREF 引脚上使用更高值的去耦电容器,则必须使用 VREF_QCHG (P0_R2_D[4:3]) 寄存器位重新配置快速充电设置,这些位支持 3.5ms(默认值)、10ms、50ms 或 100ms 的选项。