ZHCSQ43 january 2023 MCT8329A
PRODUCTION DATA
使用建议容值为 0.1µF 的低 ESR 陶瓷旁路电容器将 PVDD 引脚旁路至 GND (PGND) 引脚。将该电容器放置在尽可能靠近 PVDD 引脚的位置，并通过较宽的引线或通过接地平面连接到 PGND 引脚。此外，使用额定电压为 PVDD 的大容量电容器旁路 PVDD 引脚。该元件可以是电解电容器。其容值必须至少为 10 µF。
需要额外的大容量电容来旁路掉外部 MOSFET 上的大电流路径。放置此大容量电容时应做到尽可能缩短通过外部 MOSFET 的大电流路径的长度。连接金属迹线应尽可能宽，并具有许多连接 PCB 层的过孔。这些做法尽可能地减小了电感并使大容量电容器提供高电流。
在 CPL 和 CPH 引脚之间放置一个低 ESR 陶瓷电容器。该电容器应为 470nF，额定电压为 PVDD，类型为 X5R 或 X7R。
自举电容器 (BSTx-SHx) 应靠近器件引脚放置，尽可能地减小栅极驱动路径的环路电感。
使用容值为 1µF、额定电压为 6.3V 且类型为 X5R 或 X7R 的低 ESR 陶瓷电容器将 AVDD 引脚旁路至 AGND 引脚。将此电容器放置在尽可能靠近引脚的位置，并尽量缩短从电容器到 AGND 引脚的路径。
使用容值为 1µF、额定电压 ≥ 4V 且类型为 X5R 或 X7R 的低 ESR 陶瓷电容器将 DVDD 引脚旁路至 GND 引脚。将此电容器尽可能靠近引脚放置，并尽量缩短从电容器到 GND 引脚的路径。
使用类型为 X5R 或 X7R、ESR 足够低的陶瓷电容器旁路 VREG 引脚。
最大限度地缩短高侧和低侧栅极驱动器的回路长度。高侧环路是从器件的 GHx 引脚到高侧功率 MOSFET 栅极，然后沿着高侧 MOSFET 源极返回到 SHx 引脚。低侧环路是从器件的 GLx 引脚到低侧功率 MOSFET 栅极，然后沿着低侧 MOSFET 源极返回到 PGND 引脚。
在设计功率更高的系统时，PCB 布局中的物理特性会产生寄生电感、电容和阻抗，从而影响系统的性能。了解功率较高的电机驱动系统中存在的寄生参数可以帮助设计人员通过良好的 PCB 布局来减轻其影响。有关更多信息，请访问大功率电机驱动器应用的系统设计注意事项和电机驱动器电路板布局布线最佳实践应用手册。
栅极驱动器引线（BSTx、GHx、SHx、GLx、LSS）的宽度应至少为 15-20mil，并且到 MOSFET 栅极的距离应尽可能短，尽可能地减小寄生电感和阻抗。这有助于提供较大的栅极驱动电流，有效地使 MOSFET 导通，并改善 VGS 和 VDS 监控。确保选择用于监控从 LSS 到 GND 的低侧电流的分流电阻器较宽，尽可能地减小在低侧源极 LSS 处引入的电感。
确保接地端通过网络连接或宽电阻器连接，减小电压偏移并保持栅极驱动器性能。器件散热焊盘应焊接到 PCB 顶层地平面。应使用多个过孔连接到较大的底层接地平面。使用大金属平面和多个过孔有助于散发器件中产生的热量。为了提高热性能，请在 PCB 的所有可能层上尽可能地增大连接到散热焊盘接地端的接地面积。使用较厚的覆铜可以降低结至空气热阻并改善芯片表面的散热。