ZHCSQU4B May   2023  – November 2023 LP5860T

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 特性
  3. 应用
  4. 说明
  5. 器件比较
  6. 引脚配置和功能
  7. 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 时序要求
    7.     14
    8. 6.7 典型特性
  8. 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 时分多路复用矩阵
      2. 7.3.2 模拟调光(电流增益控制)
        1. 7.3.2.1 全局 3 位最大电流 (MC) 设置
        2. 7.3.2.2 3 组 7 位颜色电流 (CC) 设置
        3. 7.3.2.3 单独 8 位点电流 (DC) 设置
      3. 7.3.3 PWM 调光
        1. 7.3.3.1 用于每个 LED 点的单独 8 位/16 位 PWM
        2. 7.3.3.2 可编程分组 8 位 PWM 调光
        3. 7.3.3.3 用于全局调光的 8 位 PWM
      4. 7.3.4 导通和关断控制
      5. 7.3.5 数据刷新模式
      6. 7.3.6 完整的可寻址 SRAM
      7. 7.3.7 保护和诊断
        1. 7.3.7.1 LED 开路检测
        2. 7.3.7.2 LED 短路检测
        3. 7.3.7.3 热关断
        4. 7.3.7.4 UVLO(欠压锁定)
    4. 7.4 器件功能模式
    5. 7.5 编程
      1. 7.5.1 接口选择
      2. 7.5.2 I2C 接口
        1. 7.5.2.1 I2C 数据事务
        2. 7.5.2.2 I2C 数据格式
        3. 7.5.2.3 多器件连接
      3. 7.5.3 编程
        1. 7.5.3.1 SPI 数据事务
        2. 7.5.3.2 SPI 数据格式
        3. 7.5.3.3 多器件连接
    6. 7.6 寄存器映射
  9. 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 应用
      2. 8.2.2 设计要求
      3. 8.2.3 详细设计过程
        1. 8.2.3.1 编程过程
      4. 8.2.4 应用性能曲线图
    3. 8.3 电源相关建议
      1. 8.3.1 VDD 输入电源建议
      2. 8.3.2 VLED 输入电源建议
      3. 8.3.3 VIO 输入电源建议
    4. 8.4 布局
      1. 8.4.1 布局指南
      2. 8.4.2 布局示例
  10. 器件和文档支持
    1. 9.1 接收文档更新通知
    2. 9.2 支持资源
    3. 9.3 商标
    4. 9.4 静电放电警告
    5. 9.5 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

时分多路复用矩阵

LP5860T 器件使用时分多路复用矩阵方案,通过一个芯片支持多达 198 个 LED 点。该器件集成了 18 个具有 11 条扫描线的电流阱,可驱动 18 × 11 = 198 个 LED 点或 6 × 11 = 66 个 RGB 像素。在矩阵控制方案中,该器件依次从线 0 扫描至线 10,如图 7-1 所示。可以针对每个 LED 点对电流增益和 PWM 占空比寄存器进行编程,以支持单独的模拟和 PWM 调光。

LP5860T 线路扫描控制方案图 7-1 线路扫描控制方案

LP5860T 器件中集成了 11 个高侧 P 沟道 MOSFET (PMOS)。通过在 Dev_Initial 寄存器中配置“Max_Line_Num”,用户可以灵活设置 6 至 11 的实际扫描数。时分多路复用矩阵时序如图 7-2 所示。

LP5860T 时分多路复用矩阵时序图 7-2 时分多路复用矩阵时序

可以通过以下公式来计算线路开关的一个周期时间:

方程式 1. tline_switch = tPWM + tSW_BLK + 2 × tphase_shift
  • tPWM 是电流阱运行时间,通过配置 Dev_initial 寄存器中的“PWM_Fre”,该运行时间等于 8μs(PWM 频率设置为 125kHz)或 16μs(PWM 频率设置为 62.5kHz)。
  • tSW_BLK 是开关消隐时间,通过配置 Dev_config1 寄存器中的“SW_BLK”,该时间等于 1μs 或 0.5μs。
  • tphase_shift是 PWM 相移时间,通过配置 Dev_config1 寄存器中的“PWM_Phase_Shift”,该时间等于 0 或 125ns。

一个完整子周期的总显示时间为 tsub_period,可通过以下公式进行计算:

方程式 2. tsub_period = tline_switch × Scan_line#
  • Scan_line# 是由 Dev_initial 寄存器中的“Max_Line_Num”确定的扫描线条数。

图 7-3 显示了时分多路复用矩阵方案时序图。tCS_ON_Shift 是电流阱开启变化,可以通过配置 Dev_config1 寄存器中的“CS_ON_Shift”位进行设置。

LP5860T 时分多路复用矩阵时序图图 7-3 时分多路复用矩阵时序图

LP5860T 器件实现了重影消除和低亮度补偿功能,以消除矩阵拓扑的副作用:

  • 重影消除:同时实现了上部重影消除和下部重影消除功能,以消除 LED 意外弱开启。
    • Upside_de-ghosting:在消隐状态期间将每条扫描线放电。通过配置 Dev_config3 寄存器中的“Up_Deghost”,LP5860T 将线路扫描开关放电并将其钳制在特定的电压。
    • Downside_deghosting:在消隐状态期间对每个电流阱电压进行预充电。可以通过 Dev_config3 寄存器中的“Down_Deghost”来调节重影消除功能。

  • 低亮度补偿:实现了三组补偿,以解决低亮度条件下的色偏和不均匀性问题。可以通过 Dev_config2 寄存器中的“Comp_Group1”、“Comp_Group2”和“Comp_Group3”来实现该补偿功能。
    • Compensation_group 1:CS0、CS3、CS6、CS9、CS12、CS15。
    • Compensation_group 2:CS1、CS4、CS7、CS10、CS13、CS16。
    • Compensation_group 3:CS2、CS5、CS8、CS11、CS14、CS17。