ZHCSTT4G November   2007  – November 2023 LM3481

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
    1.     引脚功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级：LM3481
    3. 5.3 建议运行额定值
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 典型特性
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1 过压保护
      2. 6.3.2 偏置电压
      3. 6.3.3 斜率补偿斜坡
      4. 6.3.4 频率调节、同步和关断
      5. 6.3.5 欠压锁定 (UVLO) 引脚
      6. 6.3.6 短路保护
    4. 6.4 器件功能模式
  8. 7 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
    2. 7.2 典型应用
      1. 7.2.1 升压转换器
        1. 7.2.1.1 设计要求
        2. 7.2.1.2 详细设计过程
          1. 7.2.1.2.1  使用 WEBENCH 工具定制设计方案
          2. 7.2.1.2.2  功率电感器选型
          3. 7.2.1.2.3  对输出电压和输出电流进行编程
          4. 7.2.1.2.4  带有额外斜率补偿的电流限制
          5. 7.2.1.2.5  功率二极管选型
          6. 7.2.1.2.6  功率 MOSFET 选型
          7. 7.2.1.2.7  输入电容器选型
          8. 7.2.1.2.8  输出电容器选型
          9. 7.2.1.2.9  驱动器电源电容器选型
          10. 7.2.1.2.10 补偿
        3. 7.2.1.3 应用曲线
      2. 7.2.2 典型的 SEPIC 转换器
        1. 7.2.2.1 设计要求
        2. 7.2.2.2 详细设计过程
          1. 7.2.2.2.1 功率 MOSFET 选型
          2. 7.2.2.2.2 功率二极管选型
          3. 7.2.2.2.3 电感器 L1 和 L2 选型
          4. 7.2.2.2.4 检测电阻选型
          5. 7.2.2.2.5 SEPIC 电容器选型
          6. 7.2.2.2.6 输入电容器选型
          7. 7.2.2.2.7 输出电容器选型
        3. 7.2.2.3 应用曲线
    3. 7.3 电源相关建议
    4. 7.4 布局
      1. 7.4.1 布局指南
      2. 7.4.2 布局示例
  9. 8 器件和文档支持
    1. 8.1 文档支持
      1. 8.1.1 使用 WEBENCH 工具定制设计方案
      2. 8.1.2 相关文档
    2. 8.2 接收文档更新通知
    3. 8.3 支持资源
    4. 8.4 商标
  10. 9 修订历史记录
  11. 10机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息
7.2.1.2.6 功率 MOSFET 选型

LM3481 的驱动引脚 (DR) 必须连接至外部 MOSFET 的栅极。在升压拓扑中，外部 N 沟道 MOSFET 的漏极连接到电感器，而源极连接到地。驱动引脚电压 VDR 取决于输入电压（请参阅节 5.6）。在大多数应用中，可以使用逻辑电平 MOSFET。对于极低的输入电压，应使用子逻辑电平 MOSFET。

所选的 MOSFET 直接控制效率。选择 MOSFET 的关键参数包括：

  • 最小阈值电压 VTH(MIN)
  • 导通电阻 RDS(ON)
  • 总栅极电荷 Qg
  • 反向传输电容 CRSS
  • 最大漏源电压 VDS(MAX)

MOSFET 的关断状态电压约等于输出电压。MOSFET 的 VDS(MAX) 必须大于输出电压。MOSFET 中的功率损耗可分为导通损耗和交流开关损耗或转换损耗。需要 RDS(ON) 来估算导通损耗。导通损耗 PCOND 是 MOSFET 上的 I2R 损耗。最大导通损耗由下式给出：

方程式 36. GUID-2E545F19-F509-4390-86B2-2249E3DAF280-low.gif

其中，DMAX 是最大占空比。

方程式 37. GUID-D94EEE69-98B5-4846-8731-D5204FD9EA8B-low.gif

在高开关频率下，开关损耗可能是总损耗的最大部分。

由于给定 MOSFET 在运行中的寄生效应发生变化，因此很难计算开关损耗。通常，各个 MOSFET 数据表没有提供足够的信息来得出有用的结果。方程式 38 和方程式 39 大致说明了如何计算开关损耗：

方程式 38. GUID-15876414-E32A-4750-95AC-A5985B182806-low.gif
方程式 39. GUID-650F9759-320A-4219-B640-0D60DD6A7836-low.gif