ZHCSIK4B January 2017 – November 2018 DRV8886AT
PRODUCTION DATA.
参数 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | |
---|---|---|---|---|---|---|
电源电压(VM、DVDD、AVDD) | ||||||
VVM | VM 工作电压 | 8 | 37 | V | ||
IVM | VM 工作电源电流 | ENABLE = 1,nSLEEP = 1,无电机负载 | 5 | 8 | mA | |
IVMQ | VM 休眠模式电源电流 | nSLEEP = 0;TA = 25°C | 20 | μA | ||
nSLEEP = 0;TA = 125°C(1) | 40 | |||||
tSLEEP | 休眠时间 | nSLEEP = 0 至休眠模式 | 50 | 200 | μs | |
tWAKE | 唤醒时间 | nSLEEP = 1 至输出转换 | 0.85 | 1.5 | ms | |
tON | 开通时间 | VM > UVLO 至输出转换 | 0.85 | 1.5 | ms | |
VDVDD | 内部稳压器电压 | 0 至 1mA 外部负载 | 2.9 | 3.3 | 3.6 | V |
VAVDD | 内部稳压器电压 | 无外部负载 | 4.5 | 5 | 5.5 | V |
电荷泵(VCP、CPH、CPL) | ||||||
VVCP | VCP 工作电压 | VM + 5.5 | V | |||
逻辑电平输入(STEP、DIR、ENABLE、nSLEEP、M1) | ||||||
VIL | 输入逻辑低电平电压 | 0 | 0.8 | V | ||
VIH | 输入逻辑高电平电压 | 1.6 | 5.3 | V | ||
VHYS | 输入逻辑迟滞 | 200 | mV | |||
IIL | 输入逻辑低电平电流 | VIN = 0V | -1 | 1 | μA | |
IIH | 输入逻辑高电平电流 | VIN = 5V | 100 | μA | ||
RPD | 下拉电阻 | 连接至 GND | 100 | kΩ | ||
tPD(1) | 传播延迟 | STEP 到电流变化 | 1.2 | μs | ||
三电平输入(M0、TRQ) | ||||||
VIL | 三电平输入逻辑低电平电压 | 0 | 0.65 | V | ||
VIZ | 三电平输入高阻态电压 | 0.95 | 1.1 | 1.25 | V | |
VIH | 三电平输入逻辑高电平电压 | 1.5 | 5.3 | V | ||
IIL | 三电平输入逻辑低电平电流 | VIN = 0V | –90 | μA | ||
IIH | 三电平输入逻辑高电平电流 | VIN = 5V | 155 | μA | ||
RPD | 三电平下拉电阻 | VIN = 高阻态,连接至 GND | 65 | kΩ | ||
RPU | 三电平上拉电阻 | VIN = 高阻态,连接至 DVDD | 130 | kΩ | ||
四电平输入 (DECAY) | ||||||
VI1 | 四电平输入电压 1 | 可通过 1% 5kΩ 电阻器连接至 GND 进行设置 | 0 | 0.14 | V | |
VI2 | 四电平输入电压 2 | 可通过 1% 15kΩ 电阻器连接至 GND 进行设置 | 0.24 | 0.46 | V | |
VI3 | 四电平输入电压 3 | 可通过 1% 44.2kΩ 电阻器连接至 GND 进行设置 | 0.71 | 1.24 | V | |
VI4 | 四电平输入电压 4 | 可通过 1% 133kΩ 电阻器连接至 GND 进行设置 | 2.12 | 5.3 | V | |
IO | 输出电流 | 连接至 GND | 17 | 22 | 27.25 | μA |
控制输出 (nFAULT) | ||||||
VOL | 输出逻辑低电平电压 | IO = 1mA,RPULLUP = 4.7kΩ | 0.5 | V | ||
IOH | 输出逻辑高电平泄漏电流 | VO = 5V,RPULLUP = 4.7kΩ | -1 | 1 | μA | |
电机驱动器输出(AOUT1、AOUT2、BOUT1、BOUT2) | ||||||
RDS(ON) | 高侧 FET 导通电阻 | VM = 24V,I = 1.4A,TA = 25°C | 290 | 346 | mΩ | |
RDS(ON) | 低侧 FET 导通电阻 | VM = 24V,I = 1.4A,TA = 25°C | 260 | 320 | mΩ | |
tRISE(1) | 输出上升时间 | 100 | ns | |||
tFALL(1) | 输出下降时间 | 100 | ns | |||
tDEAD(1) | 输出死区时间 | 200 | ns | |||
Vd(1) | 体二极管正向电压 | IOUT = 0.5A | 0.7 | 1 | V | |
PWM 电流控制 (RREF) | ||||||
ARREF | RREF 跨阻增益 | 28.1 | 30 | 31.9 | kAΩ | |
VRREF | RREF 电压 | RREF = 18 至 132kΩ | 1.18 | 1.232 | 1.28 | V |
tOFF | PWM 关断时间 | 20 | μs | |||
CRREF | RREF 上的等效电容 | 10 | pF | |||
tBLANK | PWM 消隐时间 | IRREF = 2.0A,63% 至 100% 电流设置 | 1.5 | µs | ||
IRREF = 2.0A,0% 至 63% 电流设置 | 1 | |||||
ΔITRIP | 电流跳变精度 | IRREF = 1.5A,10% 至 20% 电流设置,1% 基准电阻 | -15% | 15% | ||
IRREF = 1.5A,20% 至 63% 电流设置,1% 基准电阻 | -10% | 10% | ||||
IRREF = 1.5A,71% 至 100% 电流设置,1% 基准电阻 | –6.25% | 6.25% | ||||
保护电路 | ||||||
VUVLO | VM UVLO | VM 下降,UVLO 报告 | 7 | 7.8 | V | |
VM 上升,UVLO 恢复 | 7.2 | 8 | ||||
VUVLO,HYS | 欠压迟滞 | 上升至下降阈值 | 200 | mV | ||
VCPUV | 电荷泵欠压 | VCP 下降;CPUV 报告 | VM + 2 | V | ||
IOCP | 过流保护跳闸电流水平 | 流经任何 FET 的电流 | 3 | A | ||
tOCP(1) | 过流抗尖峰时间 | 1.3 | 1.9 | 2.8 | μs | |
tRETRY | 过流重试时间 | 1 | 1.6 | ms | ||
TTSD(1) | 热关断温度 | 裸片温度 TJ | 150 | °C | ||
THYS(1) | 热关断迟滞 | 裸片温度 TJ | 20 | °C |