ZHCSBA8F July   2013  – February 2022 CSD17483F4

PRODUCTION DATA  

  1. 1特性
  2. 2应用
  3. 3说明
  4. 4Revision History
  5. 5Specifications
    1. 5.1 Electrical Characteristics
    2. 5.2 Thermal Information
    3. 5.3 Typical MOSFET Characteristics
  6. 6Device and Documentation Support
    1. 6.1 Receiving Notification of Documentation Updates
    2. 6.2 Trademarks
    3. 6.3 Electrostatic Discharge Caution
    4. 6.4 术语表
  7. 7Mechanical, Packaging, and Orderable Information
    1. 7.1 Mechanical Dimensions
    2. 7.2 Recommended Minimum PCB Layout
    3. 7.3 Recommended Stencil Pattern

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • YJC|3
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

3 说明

该 200mΩ、30V N 沟道 FemtoFET™ MOSFET 技术经过设计和优化，能够最大限度地减小在许多手持式和移动应用中占用的空间。这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时将封装尺寸减小至少 60%。

图 3-1 典型器件尺寸
产品概要
TA = 25°C 典型值 单位
VDS 漏源电压 30 V
Qg 总栅极电荷 (4.5V) 1010 pC
Qgd 栅极电荷（栅极到漏极） 130 pC
RDS(on) 漏源
导通电阻		 VGS = 1.8V 370 mΩ
VGS = 2.5V 240
VGS = 4.5V 200
VGS(th) 阈值电压 0.85 V
器件信息
器件(1) 数量 介质 封装 配送
CSD17483F4 3000 7 英寸卷带 Femto (0402)
1.00mm × 0.60mm
无引线 SMD		 卷带包装
CSD17483F4T 250
(1) 如需了解所有可用封装，请参阅数据表末尾的可订购产品附录。
绝对最大额定值
TA = 25°C 时测得，除非另外注明 值 单位
VDS 漏源电压 30 V
VGS 栅源电压 12 V
ID 持续漏极电流，TA = 25°C 时测得(1) 1.5 A
IDM 脉冲漏极电流，TA = 25°C(2) 5 A
IG 持续栅极钳位电流 35 mA
脉冲栅极钳位电流(2) 350
PD 功率耗散(1) 500 mW
V(ESD) 人体放电模型 (HBM) 4 kV
充电器件模型 (CDM) 2
TJ、
Tstg		 工作结温、
贮存温度		 –55 至 150 °C
EAS 雪崩能量，单脉冲 ID = 7.4A，
L = 0.1mH，RG = 25Ω		 2.7 mJ
(1) 典型 RθJA = 90°C/W（在 0.06 英寸 (1.52mm) 厚的 FR4 PCB 上安装 1 平方英寸 (6.45cm2)、2oz、
0.071mm 厚的铜焊盘时）。
(2) 脉冲持续时间 ≤ 300μs，占空比 ≤ 2%.
GUID-B8E8D42E-2D36-401B-86DB-4B3874807145-low.gif图 3-2 顶视图