ZHCSRX7 june 2023 BQ79616
PRODUCTION DATA
一共有 24 个输入(时隙)多路复用到主 ADC(图 8-2)。所有输入都以轮询方式进行测量(图 8-3)。测量每个输入需要 8μs(标称值),单个轮询周期在 192μs(标称值)内完成。主 ADC 的输入为:
所有测量值均以 16 位十六进制二进制补码形式报告。结果会报告给相应的 *_HI(高字节)和 *_LO(低字节)寄存器。首先将十六进制结果转换为十进制值。按照表 8-1 中的公式将结果转换为 μV 或 °C。
启用主 ADC 后,表 8-1 中显示的所有主 ADC 相关结果寄存器都将重置为默认值 0x8000。当主 ADC 随着轮询周期进行转换时,测量结果将填充到结果寄存器中。当 MCU 读取 *_HI 寄存器时,器件将暂停到对相关 *_LO 寄存器的数据刷新,直到读取该 *_LO 寄存器。
主 ADC 输入 | 结果寄存器 | 转换公式 |
---|---|---|
内核温度 1 | DIETEMP1_HI/LO | 以 °C 表示的结果 = 以十进制表示的 VLSB_MAIN_DIETEMP1 * 结果 0x0000h 以 0°C 为中心。 |
TSREF | TSREF_HI/LO | 以 μV 表示的结果 = 以十进制表示的 VLSB_TSREF * 结果 |
Cell1 至 Cell16 | VCELL*_HI/LO,其中 * = 1 至 16 | 以 μV 表示的结果 = 以十进制表示的 VLSB_ADC * 结果 |
汇流条 | BUSBAR_HI/LO | 以 μV 表示的结果 = 以十进制表示的 VLSB_BB * Result |
GPIO1 至 GPIO8 | GPIO*_HI/LO,其中 * = 1 至 8 | 以 μV 表示的结果 = 以十进制表示的 VLSB_GPIO * 结果 |