硬體開發
TRF37A73EVM — TRF37A73 Evaluation Module
寬頻 RF 放大器需要外部耦合電容器和 RF 扼流器，才能向輸出電晶體集電極提供偏壓。 由於運作頻率降低，因此必須修改這些元件的選擇，以在裝置中維持適當的增益和線性。 此設計提供在低頻範圍中操作 TRF37x73 等寬頻 RF 放大器裝置時的電路修改建議。 為超低頻率 (1MHz - 50MHz) 和中頻 (20MHz - 400MHz) 提供完整的溫度和電壓測試，以說明設計的有效性。
支援產品和硬體
TRF37B73EVM — TRF37B73 評估模組
寬頻 RF 放大器需要外部耦合電容器和 RF 扼流器，才能向輸出電晶體集電極提供偏壓。 由於運作頻率降低，因此必須修改這些元件的選擇，以在裝置中維持適當的增益和線性。 此設計提供在低頻範圍中操作 TRF37x73 等寬頻 RF 放大器裝置時的電路修改建議。 為超低頻率 (1MHz - 50MHz) 和中頻 (20MHz - 400MHz) 提供完整的溫度和電壓測試，以說明設計的有效性。
支援產品和硬體
TRF37C73EVM — TRF37C73 Evaluation Module
寬頻 RF 放大器需要外部耦合電容器和 RF 扼流器，才能向輸出電晶體集電極提供偏壓。 由於運作頻率降低，因此必須修改這些元件的選擇，以在裝置中維持適當的增益和線性。 此設計提供在低頻範圍中操作 TRF37x73 等寬頻 RF 放大器裝置時的電路修改建議。 為超低頻率 (1MHz - 50MHz) 和中頻 (20MHz - 400MHz) 提供完整的溫度和電壓測試，以說明設計的有效性。
支援產品和硬體
TRF37D73EVM — TRF37D73 Evaluation Module
寬頻 RF 放大器需要外部耦合電容器和 RF 扼流器，才能向輸出電晶體集電極提供偏壓。 由於運作頻率降低，因此必須修改這些元件的選擇，以在裝置中維持適當的增益和線性。 此設計提供在低頻範圍中操作 TRF37x73 等寬頻 RF 放大器裝置時的電路修改建議。 為超低頻率 (1MHz - 50MHz) 和中頻 (20MHz - 400MHz) 提供完整的溫度和電壓測試，以說明設計的有效性。