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설계 및 개발
레퍼런스 설계

PMP21309

HV GaN FET를 지원하는 24V/500W 공진 컨버터 레퍼런스 설계

설계 파일

PMP21309

설계 파일

개요

이 레퍼런스 설계는 고주파 공진 컨버터 레퍼런스 설계입니다. 출력 전압은 500kHz 공진 주파수의 공진 탱크를 사용하여 380V~400V의 입력 전압 범위에서 24V로 조정됩니다. 이 설계는 데드 타임 및 SR(동기 정류기) 전도를 최적화하기 위해 UCD3138A 및 UCD7138과 함께 TI의 고전압 GaN 장로치인 LMG3410R070을 사용하여 97.9%의 피크 효율을 달성합니다.

특징
  • 500kHz 공진 주파수
  • 390V에서 24V/500W 변환
  • 390V 입력에서 97.9% 효율
  • 전력 단계 X Y 치수 1.9" x 3"
출력 전압 옵션 PMP21309.1
입력 전압(최소)(V) 380
입력 전압(최대)(V) 400
Vout(공칭값) (V) 24
Iout(최대)(A) 21
출력 전력(W) 504
절연/비절연 Isolated
입력 유형 DC
토폴로지 Half Bridge- LLC
다운로드 스크립트와 함께 비디오 보기 비디오

설계 파일 및 제품

설계 파일

바로 사용 가능한 시스템 파일을 다운로드하여 설계 프로세스에 속도를 높여 보십시오.

download 테스트 보고서 — PMP21309
TIDT033.PDF (2775 KB)

효율성 그래프, 테스트 전제 조건 등을 포함한 레퍼런스 디자인에 대한 테스트 결과

download Assembly drawing — PMP21309
TIDRXJ5.ZIP (150 KB)

구성 요소 배치를 위한 설계 레이아웃의 세부 개요

download Bill of materials (BOM) — PMP21309
TIDRXJ4.ZIP (206 KB)

설계 구성요소, 참조 지정자 및 제조업체/부품 번호의 전체 목록

download CAD/CAE symbol — PMP21309
TIDRXJ8.ZIP (2232 KB)

IC 부품의 3D 모델 또는 2D 도면에 사용되는 파일

download Gerber file — PMP21309
TIDCEZ7.ZIP (2711 KB)

설계 PCB의 물리적 보드 계층에 대한 정보를 포함하는 설계 파일

download PCB layout — PMP21309
TIDRXJ7.ZIP (1175 KB)

PCB 설계 레이아웃 생성에 사용되는 PCB 레이어 플롯 파일

download Schematic — PMP21309
TIDRXJ2.ZIP (252 KB)

설계 레이아웃 및 구성 요소에 대한 회로도 다이어그램

제품

TI 제품을 설계 및 잠재적 대안에 포함합니다.

질화 갈륨(GaN) 전력계

LMG3411R070 — 600V 70mΩ GaN과 통합 드라이버 및 사이클 단위 과전류 보호

데이터 시트: PDF | HTML
질화 갈륨(GaN) 전력계

LMG3410R070 — 600V 70mΩ GaN과 통합 드라이버 및 보호

데이터 시트: PDF | HTML
정밀 연산 증폭기(Vos<1mV)

OPA376 — 정밀(0.025mV), 저잡음(7.5nV/rtHz), 낮은 정동작 전류(760uA) 연산 증폭기

데이터 시트: PDF | HTML
선형 및 저손실(LDO) 레귤레이터

LP3985 — 바이패스 및 활성화를 지원하는 150mA, 저손실 전압 레귤레이터

데이터 시트: PDF | HTML
AC/DC 컨트롤러

UCD7138 — 바디 다이오드 전도 감지 기능을 지원하는 싱글 채널 동기식 정류기 드라이버

데이터 시트: PDF | HTML
AC/DC 컨트롤러

UCD3138A — 절연 전원용 UCD3138A 고집적 디지털 컨트롤러

데이터 시트: PDF | HTML
아날로그 온도 센서

LM20 — ±1.5°C 아날로그 출력 온도 센서

데이터 시트: PDF | HTML
질화 갈륨(GaN) 전력계

LMG3411R050 — 600V 50mΩ GaN과 통합 드라이버 및 사이클 단위 과전류 보호

데이터 시트: PDF | HTML

개발 시작하기

하드웨어 개발

도터 카드

LMG3410-HB-EVM — LMG3410R070 600-V 70-mΩ GaN half-bridge daughter card

이 레퍼런스 설계는 고주파 공진 컨버터 레퍼런스 설계입니다. 출력 전압은 500kHz 공진 주파수의 공진 탱크를 사용하여 380V~400V의 입력 전압 범위에서 24V로 조정됩니다. 이 설계는 데드 타임 및 SR(동기 정류기) 전도를 최적화하기 위해 UCD3138A 및 UCD7138과 함께 TI의 고전압 GaN 장로치인 LMG3410R070을 사용하여 97.9%의 피크 효율을 달성합니다.
EVM 사용 설명서: PDF
지원되는 제품 및 하드웨어

지원되는 제품 및 하드웨어

하드웨어 개발
레퍼런스 디자인
PMP20873 — 99% 효율 1kW GaN 기반 CCM 토템 폴 PFC(역률 보정) 컨버터 레퍼런스 설계 PMP20978 — 고전압 GaN FET를 지원하는 높은 효율 및 전력 밀도 1kW 공진 컨버터 레퍼런스 디자인 PMP21309 — HV GaN FET를 지원하는 24V/500W 공진 컨버터 레퍼런스 설계 PMP41006 — C2000™과 GaN가 구현하는 CCM 토템 폴 PFC 및 전류 모드 LLC가 있는 1kW 레퍼런스 설계 PMP41043 — C2000과 GaN가 구현하는 CCM 토템 폴 PFC 및 전류 모드 LLC가 있는 1.6kW 레퍼런스 설계 TIDA-010062 — 1kW, 80+ 티타늄, GaN CCM 토템 폴 브리지리스 PFC 및 하프 브리지 LLC와 LFU 레퍼런스 설계 TIDM-02008 — C2000™ MCU를 사용하는 양방향 고밀도 GaN CCM 토템 폴 PFC TIDM-1007 — 고효율 GaN CCM 토템 폴 브리지리스 PFC(역률 보정) 레퍼런스 디자인
평가 보드
LMG34XX-BB-EVM — LMG341x 제품군을 위한 LMG34xx GaN 시스템 레벨 평가 마더보드
재고 있음
제한:
TI.com에 재고 없음
TI.com에서 구매할 수 없음

LMG3410-HB-EVM — LMG3410R070 600-V 70-mΩ GaN half-bridge daughter card

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최신 버전
버전: null
출시 날짜:
open-in-new

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평가 보드
LMG34XX-BB-EVM — LMG341x 제품군을 위한 LMG34xx GaN 시스템 레벨 평가 마더보드
TI의 평가 품목에 대한 표준 약관이 적용됩니다.

기술 자료

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= TI에서 선정한 인기 문서
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상위 문서 유형 직함 형식 옵션 최신 영어 버전 다운로드 날짜
* 테스트 보고서 24-V/500-W Resonant Converter Reference Design With TI HV GaN FET 2018. 11. 5

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