Dieses Referenzdesign demonstriert die präzise lineare Positionserfassung eines N45-Magnet-Ziels mit kurzer Latenzzeit unter Verwendung eines oder mehrerer äquidistanzierter platzierter 3D-Hall-Effekt-Sensoren TMAG5170 mit Highspeed-SPI-Schnittstelle für 10 MHz wobei die magnetische Feldstärke der Z-Achse und der X-Achse sowie CRC-Daten in einem einzigen 32-Bit-Frame übertragen werden, um eine kurze Latenzzeit und verbesserte Datenintegrität zu gewährleisten. Die digitale Schnittstelle mit 3,3 V E/A ist kompatibel mit dem C2000™ MCU Launchpad und ermöglicht die Evaluierung unserer 3D Hall-Effekt-Sensortechnologie mit C2000™, Sitara oder anderen MCUs.
Merkmale
- Einzel-Chip-3D Hall-Effekt-Sensor mit integriertem ADC und SPI-Schnittstelle reduziert Stückliste und Platinengröße.
- Eine lineare Positionsgenauigkeit von typischerweise ±0,15 mm über einen Bereich von 100 mm mit Quad-3D-Hall-Effekt-Sensoren tragen dazu bei, präzisere lineare Positionserfassungssysteme zu erzielen.
- 3D Hall-Effekt-Sensoren mit konfigurierbarer Empfindlichkeit von ±25 mT bis ±100 mT und ±75 mT bis ±300 mT helfen bei der Einstellung des Messbereichs für eine bessere Genauigkeit.
- Abtastraten von bis zu 8 kHz, kurze Latenzzeit von 57,5 µs und 10 MHz SPI ermöglichen eine schnellere Positionssteuerung.
- Der dedizierte ALARMPIN ermöglicht den gleichzeitigen Beginn der Wandlung der X-, Y-, Z-Achse über mehrere Hall-Effekt-Sensoren von 3D.
- Die 3D Diagnosefunktionen von Hall-Effekt-Sensoren helfen Ihnen, Fehler auf System- und Bausteinebene zu erkennen und zu melden und das Design für funktionale Sicherheit zu vereinfachen.