TIDM-02022

2kW 四相交错式降压转换器参考设计,带耦合电感器

TIDM-02022

设计文件

概述

数据中心功耗大幅增长,推动市场对高功率密度、高效率 DC/DC 砖型转换器的需求持续上升。隔离拓扑应用广泛,但控制实现难度较大。相较于电感-电感-电容 (LLC) 等隔离拓扑,耦合电感多相同步降压拓扑具备更优异的负载瞬态性能,且控制更为简便。此参考设计展示了使用 C2000™ 微控制器实现功率级的电压模式控制。

特性
  • 额定 48V 直流输入、12V 直流输出,功率 2kW
  • 200kHz 脉宽调制 (PWM) 频率切换
  • 200kHz 中断服务例程 (ISR) 频率
  • 峰值效率高于 98%
  • 软件频率响应分析器 (SFRA) 和补偿设计器便于控制环路调优
  • 电压模式控制环路
  • 使用驱动程序库实现 F28P550 软件支持
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我们开发的全面组装电路板仅用于测试和性能验证,不可用于销售。

设计文件和产品

设计文件

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参考设计概述和经过验证的性能测试数据

SLVMEZ9.PDF (462 KB)

元件放置方式设计布局的详细原理图

SLVMF01.PDF (358 KB)

设计元件、引用标识符和制造商/器件型号的完整列表

SLVMF00.ZIP (20427 KB)

IC 元件的 3D 模型和 2D 图纸使用的文件

SLVC957.ZIP (2645 KB)

包含设计 PCB 物理板层信息的设计文件

SLVMEZ8.PDF (1485 KB)

用于生成 PCB 设计布局的 PCB 层图文件

SLVMEZ7.PDF (2582 KB)

设计布局和元件的详细原理图

产品

在设计中包括 TI 产品和可能的替代产品。

半导体

INA241B-Q1具有增强型 PWM 抑制功能、符合 AEC-Q100 标准的 -4V 至 110V、双向、高精度电流检测放大器

数据表: PDF | HTML
半导体

LMG3100R017具有集成驱动器的 100V 1.7mΩ GaN FET

数据表: PDF | HTML
半导体

INA241A-Q1具有增强型 PWM 抑制功能、符合 AEC-Q100 标准的 -4V 至 110V、双向、超精密电流检测放大器

数据表: PDF | HTML
半导体

TMS320F28P550SJ具有 150MHz、1.1MB 闪存、C28x + CLA、5 个 ADC、CLB、AES 和 NPU 的 C2000™ 32 位 MCU

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