TIDA-01634

适用于高速直流/直流转换器的数兆赫兹 GaN 功率级参考设计

TIDA-01634

设计文件

概述

此参考设计基于 LMG1210 半桥 GaN 驱动器和 GaN 功率的高电子迁移率晶体管 (HEMT),实现了一款数兆赫兹功率级设计。凭借高效的开关和灵活的死区时间调节,此参考设计不仅可以显著改善功率密度,同时还能实现良好的效率和较宽的控制带宽。此功率级设计可广泛应用于众多需要快速响应的空间受限型应用,例如 5G 电信电源、服务器和工业电源。

特性
  • 基于 GaN 的紧凑型功率级设计,具有高达 50MHz 的开关频率
  • 适用于高侧和低侧的彼此独立的 PWM 输入,或具有可调节死区时间的单一 PWM 输入
  • 最小脉冲宽度为 3ns
  • 300V/ns 的高压摆率抗扰性
  • 驱动器 UVLO 和过热保护

我们开发的全面组装电路板仅用于测试和性能验证,不可用于销售。

设计文件和产品

设计文件

下载现成的系统文件,加快您的设计过程。

ZHCU454.PDF (1158 K)

参考设计概述和经过验证的性能测试数据

TIDRVQ8.PDF (151 K)

设计布局和元件的详细原理图

TIDRVQ9.PDF (104 K)

设计元件、引用标识符和制造商/器件型号的完整列表

TIDRVR0.PDF (136 K)

元件放置方式设计布局的详细原理图

TIDRVR2.ZIP (45 K)

IC 元件的 3D 模型和 2D 图纸使用的文件

TIDCEJ2.ZIP (1201 K)

包含设计 PCB 物理板层信息的设计文件

TIDRVR1.PDF (716 K)

用于生成 PCB 设计布局的 PCB 层图文件

产品

在设计中包括 TI 产品和可能的替代产品。

半桥驱动器

LMG1210适用于 GaNFET 和 MOSFET、具有 5V UVLO 和可编程死区时间的 1.5A、3A 200V 半桥栅极驱动器

数据表: PDF | HTML
同相缓冲器和驱动器

SN74LVC2G17具有施密特触发输入的 2 通道、1.65V 至 5.5V 缓冲器

数据表: PDF | HTML

技术文档

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类型 标题 下载最新的英文版本 日期
设计指南 适用于高速直流/直流转换器的数兆赫兹GaN 功率级参考设计 下载英文版本 2018年 2月 27日

支持与培训

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