适用于高速直流/直流转换器的数兆赫兹 GaN 功率级参考设计
TIDA-01634
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描述

此参考设计基于 LMG1210 半桥 GaN 驱动器和 GaN 功率的高电子迁移率晶体管 (HEMT),实现了一款数兆赫兹功率级设计。凭借高效的开关和灵活的死区时间调节,此参考设计不仅可以显著改善功率密度,同时还能实现良好的效率和较宽的控制带宽。此功率级设计可广泛应用于众多需要快速响应的空间受限型应用,例如 5G 电信电源、服务器和工业电源。

特性
  • 基于 GaN 的紧凑型功率级设计,具有高达 50MHz 的开关频率
  • 适用于高侧和低侧的彼此独立的 PWM 输入,或具有可调节死区时间的单一 PWM 输入
  • 最小脉冲宽度为 3ns
  • 300V/ns 的高压摆率抗扰性
  • 驱动器 UVLO 和过热保护

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型号 封装 | 引脚 CAD File (.bxl) STEP Model (.stp)
LMG1210 WQFN (RVR)| 19 下载 下载
SN74LVC2G17 下载
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用户指南 (1)
标题 类型 大小 (KB) 日期 下载最新英文版本
PDF 1158 2018年 2月 27日 下载英文版本
设计文件 (6)
标题 类型 大小 (KB) 日期 下载最新英文版本
ZIP 1201 2018年 2月 26日
ZIP 45 2018年 2月 26日
PDF 716 2018年 2月 26日
PDF 136 2018年 2月 26日
PDF 104 2018年 2月 26日
PDF 151 2018年 2月 26日

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