PMP20565

使用反激式转换器和尺寸更小的参考设计,保持时间超过 10ms

PMP20565

设计文件

概述

此参考设计延长了保持时间(超过 10ms),无需大容量输出电容器组。输入侧采用 60V 高压储能电容器。检测到线路中断时,它可快速连接到反激式转换器,对输入电容器充电并延长保持时间。有源开关电路具有动作快、限流等特点。通过移除大容量输出电容器组,可减小总尺寸。这是适用于需要很长保持时间的隔离电源的紧凑型参考设计。

特性
  • 9V 至 60V 宽输入范围
  • 估计在 12V/0.5A 下保持时间为 100ms
  • 60V 高压储能电容器
  • 动作快、限流的有源开关
  • 轻松增大至高输出功率
输出电压选项 PMP20565.1
Vin (Min) (V) 9
Vin (Max) (V) 60
Vout (Nom) (V) 12
Iout (Max) (A) 2
Output Power (W) 24
Isolated/Non-Isolated Isolated
Input Type DC
Topology Boost- Non Sync^Flyback- Non Sync
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我们开发的全面组装电路板仅用于测试和性能验证,不可用于销售。

设计文件和产品

设计文件

下载现成的系统文件,加快您的设计过程。

TIDT155.PDF (2672 K)

参考设计的测试结果,包括效率图表,测试前提条件等

TIDM421.PDF (99 K)

设计布局和元件的详细原理图

TIDM422.PDF (115 K)

设计元件、引用标识符和制造商/器件型号的完整列表

TIDM423.PDF (70 K)

元件放置方式设计布局的详细原理图

TIDCFR2.ZIP (119 K)

包含设计 PCB 物理板层信息的设计文件

TIDM424.PDF (211 K)

用于生成 PCB 设计布局的 PCB 层图文件

产品

在设计中包括 TI 产品和可能的替代产品。

升压控制器(外部开关)

LM50226V 至 60V 宽输入电压、电流模式升压、SEPIC 和反激式控制器

数据表: PDF | HTML
N 沟道 MOSFET

CSD19534Q5A采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、15.1mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

数据表: PDF | HTML
并联电压基准

LMV4311.5%、低电压 (1.24V) 可调节精密并联稳压器

数据表: PDF

技术文档

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* 测试报告 Hold-Up Time Beyond 10 ms Using Flyback Converter Reference Design 2020年 1月 17日

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