TPS7H6101-SEP
- Radiation performance:
- Radiation lot acceptance tested (RLAT) to total ionizing dose (TID) of 50krad(Si)
- Single-event transient (SET), single-event burnout (SEB), and single-event gate rupture (SEGR) immune up to linear energy transfer (LET) = 43MeV-cm2/mg
- Single-event transient (SET) and single-event fault interrupt (SEFI) characterized up to (LET) = 43MeV-cm2/mg
- 200V e-mode GaN FET half bridge
- 15mΩRDS(ON) (typ)
- 100kHz to 2MHz operation
- LGA package:
- Thermally optimized 12mm × 9mm LGA package with thermal pads
- Integrated gate drive resistors
- Low common source inductance packaging
- Electrically isolated high-side and low-side
- Flexible control for various half-bridge and two switch power supply topologies
- Low propagation delay
- Two operational modes
- Single PWM input with adjustable dead time
- Two independent inputs
- Programmable dead time control
- Selectable input interlock protection in independent input mode
- 5V gate drive supply for robust FET operation
The TPS7H6101 is a radiation-tolerant 200V e-mode GaN power-FET half bridge with integrated gate driver; integration of the e-mode GaN FETs and gate driver simplifies design, reduces component count, and reduces board space. Support for half-bridge and two independent switch topologies, configurable dead time, and configurable shoot through interlock protection facilitates support for a wide variety of applications and implementations.
技術文件
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檢視所有 8 | 重要文件 | 類型 | 標題 | 格式選項 | 日期 |
|---|---|---|---|---|
| * | Data sheet | TPS7H6101-SEP 200V, 10A GaN Half Bridge Power Stage datasheet | PDF | HTML | 2025年 5月 14日 |
| * | Radiation & reliability report | TPS7H6101-SEP Production Flow and Reliability Report | PDF | HTML | 2026年 3月 11日 |
| * | Radiation & reliability report | TPS7H6101 Neutron Displacement Damage (NDD) Characterization Report | 2026年 2月 20日 | |
| * | Radiation & reliability report | TPS7H6101-SEP Total Ionizing Dose (TID) Radiation Report (Rev. A) | 2025年 5月 9日 | |
| Certificate | TPS7H6101EVM EU Declaration of Conformity (DoC) | 2025年 4月 16日 | ||
| Selection guide | TI Space Products (Rev. K) | 2025年 4月 4日 | ||
| Application note | Reduce the Risk in Low-Earth Orbit Missions with Space Enhanced Plastic Products (Rev. A) | PDF | HTML | 2022年 9月 15日 | |
| E-book | Radiation Handbook for Electronics (Rev. A) | 2019年 5月 21日 |
設計與開發
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開發板
TPS7H6101EVM — TPS7H6101-SEP 評估模組
TPS7H6101EVM 使用 J13 上的輸入電壓軌，為 100V 的 PVIN 供電裝置預設以 PWM 模式運作，僅需些微變更即可改用 IIM 模式。在 J8 輸入 0V 至 5V 波形時，TPS7H6101-SP 將依您選取的工作週期與頻率，作為降壓轉換器運作。TPS7H6101EVM 會依照快速入門指南中所列參數進行設定與測試。使用超出快速入門指南範圍的輸入時，請考量電路板的散熱管理與電感器的 18A 飽和電流。
| 封裝 | 針腳 | CAD 符號、佔位空間與 3D 模型 |
|---|---|---|
| UNKNOWN (NPR) | 64 | Ultra Librarian |
訂購與品質
內含資訊：
- RoHS
- REACH
- 產品標記
- 鉛塗層/球物料
- MSL 等級/回焊峰值
- MTBF/FIT 估算值
- 材料內容
- 認證摘要
- 進行中的可靠性監測
內含資訊：
- 晶圓廠位置
- 組裝地點
建議產品可能具有與此 TI 產品相關的參數、評估模組或參考設計。